STMicroelectronics STripFET II™パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス STripFET II™パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術を享受する、強化版MOSFETです。その結果、STripFET™パワーMOSFETは、高電流と低R_DS(on)を示します。これらのパワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えています。これらのSTripFET™パワーMOSFETは、定評のあるプレーナ技術を採用し、高効率、定電圧システムを実現します。