STMicroelectronics MDmesh™ II パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。

特徴

  • Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate
  • Lower RDS(on) x area vs the previous generation 
  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Zener-protected 
  • Low gate input resistance

アプリケーション

  • Switching Applications
公開: 2009-05-28 | 更新済み: 2025-10-24