STMicroelectronics AS11P2TLR、AS21P2TLRアナログスイッチ

STマイクロエレクトロニクスのAS11P2TLR、AS21P2TLRは、シリコンゲートC²MOS技術を使用して製造された、高速のCMOS低電圧シングル/デュアルアナログSPDT(Single-Pole DoubleThrow)スイッチで、2:1マルチプレクサ/デマルチプレクサスイッチとも呼ばれます。高速のスイッチング速度、ブレイクビフォーメイク遅延時間、超低消費電力などの特長を持つAS11P2TLRとAS21P2TLRは、ポータブルアプリケーションに最適です。すべての入力と出力には静電放電に対する保護回路が組み込まれており、ESDや過渡過電圧に対する保護機能を提供します。

All inputs and outputs of the AS21P2TLR are equipped with protection circuits against static discharge, giving the device immunity from electrostatic discharge (ESD) and transient excess voltage.

The STMicroelectronics AS21P2TLR Analog Switch is offered in a compact 1.8mm x 1.4mm QFN10L package, ideal for space-constrained applications.

特徴

AS11P2TLR Features
- High speed:
  - t_PD= 130ps (typ.) at V_CC= 3.0V
  - t_PD= 140ps (typ.) at V_CC= 2.3V
- Ultra low power dissipation:
  - I_CC= 0.2µA (max.) at T_A= 85°C
- Low ON resistance:
  - R_ON= 1.0Ω (typ.) at V_CC= 4.5V
  - R_ON= 1.2Ω (typ.) at V_CC= 3.0V
  - R_ON= 2.0Ω (typ.) at V_CC= 1.8V
- Wide operating voltage range:
  - V_CC(opr.) = 1.65 to 4.5V single supply
- 5V tolerant and 1.8V compatible threshold ON digital control input at V_CC= 1.65 to 4.5V
- Latch-up performance exceeds 200mA per JESD 78, Class II
- ESD performance tested per JESD 22:
  - 2000V human-body model (A114-B, Class II)
  - 200V machine model (A115-A)
- 1000V charged-device model (C101)

AS21P2TLR Features
- Ultra low power dissipation: I_CC= 0.2µA (max.) at T_A= 85°C
- Low ON resistance V_IN= 0V:
  - R_ON= 0.50Ω (max. T_A= 25 °C) at V_CC= 4.3V
  - R_ON= 0.50Ω (max. T_A= 25 °C) at V_CC= 3.6V
- Wide operating voltage range: V_CC (OPR) = 1.65 to 4.3V single supply
- 4.3V tolerant and 1.8V compatible threshold on digital control input at V_CC= 2.3 to 4.3V
- Latch-up performance exceeds 300mA (JESD 17)
- ESD performance: HMB > 2kV (MIL STD 883 method 3015)