STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8開発ボード
STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8開発ボードは、L638xEおよびL639x高電圧ゲートドライバ用に設計されています。L638xEおよびL639xドライバは、NチャンネルパワーMOSFETまたはIGBT向けのシングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバです。これらのL638xEおよびL639xドライバは、BCD™「オフライン」技術を用いて製造された高電圧デバイスです。EVALSTDRV600HB8ボードは、SO8パッケージに収められた2つの用例（L638xEおよびL639x）で構成されており、最大600Vまでの電圧定格でゲートドライバの機能を評価できます。このSO8パッケージは高電圧、ハイサイド、ローサイドのドライバデバイスもサポートします。また、この開発ボードには、フィルタリング、ブートストラップコンデンサ、内蔵ブートストラップダイオードといった受動部品が備わっており、さらなるコンパクト性と費用対効果を提供します。
The EVALSTDRV600HB8 board consists of two samples (L638xE and L639x) in the SO8 package allows evaluating gate driver features and functionalities with voltage rating up to 600V. This SO8 package also supports several high voltages, high-side, and low-side driver devices. The development board also comes with passive components such as filtering, bootstrap capacitor, and integrated bootstrap diode designed to allow more compact and cost-effective.
特徴
- Half-bridge configuration
- 600V high voltage rail
- Includes samples of each compatible gate driver in SO8 package
- L6385E, L6387E, L6388E, L6389E, L6395, L6398, and L6399
- Compatible with MOSFETs or IGBTs in ±50V/ns dv/dt transient immunity in full temperature range
- Integrated bootstrap diode
- Dedicated high-side and low-side driving inputs
- Compact and simplified layout
- Gate drivers in the kit feature different functionalities and characteristics:
- UVLO on both high-side and low-side
- Internal deadtime or no deadtime
- Interlocking for anti cross-conduction protection
- Ability to drive asymmetrical half-bridges and switched reluctance motors
- Active high or active low Local Interconnect Network (LIN) for single input gate driving
Associated Product
STMicroelectronics L638xEおよびL639xゲートドライバ
ハイサイド（フローティング）セクションMOSFETまたはIGBTデバイスで最大600Vの電圧レールに耐えるように設計されています。
公開: 2017-11-24
| 更新済み: 2022-06-23