STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q評価ボード
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q評価ボードは、STDRIVEG610高速ハーフブリッジゲートドライバに基づいており、高電圧、拡張モード、GaN HEMTを駆動するように最適化されています。STDRIVEG610には、別途の大電流シンク/ソースゲート駆動ピン、統合LDO、ブートストラップダイオード、低電圧、ハイサイド高速起動、過温度、障害とシャットダウンピン、スタンバイが備わっており、ハードスイッチングトポロジに対応しており、4mm x 5mm QFNパッケージに収められています。
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Qボードは、簡単に使用でき、 SGT120R65AL 75mΩ (標準) を駆動する STDRIVEG610 の機能を評価するのに適しています。、650V EモードGaNスイッチで、5mm x 6mm QFNパッケージに収められています。このデバイスは、オンボード・プログラマブル・デッドタイム発生器および3.3Vリニア電圧レギュレータを供給し、マイクロコントローラのような外部ロジックを供給します。別のLINおよびHIN入力信号または単一のPWM信号といった最終アプリケーション用にボードをカスタマイズするために予備のフットプリントも組み込まれています。
EVLSTDRIVEG610Qは、56mm x 70mm幅、2層、1.5Oz、FR-4 プリント基板（PCB）で、その結果、高出力アプリケーションを評価するために、静止空気中で全体として24℃/W Rth（J-A）（各GaNの 48℃/Wに相当）を達成しました。
特徴
- 統合LDO、分離されたシンク/ソース、統合ブートストラップダイオード、スタンバイが備わっているSTDRIVEG610 GaNゲートドライバが特徴のハーフブリッジトポロジー
- 標準75mΩを装備（650V EモードHEMT GaNを搭載）
- 9V ～18V (標準12V) VCC 電源電圧
- 単一のPWM信号をデッドタイムで独立した高圧側および低圧側入力に変換するオンボード調整式デッドタイム発生器
- 調整可能なハードオンおよびハードオフdV/dt
- 外部デッドタイムを使用した独立した入力も利用可能
- 最小限のハイサイド起動時間を達成する外付けブートストラップダイオード
- オプションの追加高電圧バルクコンデンサ用のフットプリント
- オンボード3.3Vレギュレータ（外部回路供給用）
- RoHS準拠
アプリケーション
- DC/DCおよび共振コンバータ (LLC、アクティブクランプフライバック、トーテムポール）
- PFCおよび同期整流器トポロジー
- バッテリチャージャとアダプタ
- AC/DCコンバータ
電源と信号接続
部品配置－上面図
部品配置－下面図
関連コンポーネント
STMicroelectronics STDRIVEG610 ハーフブリッジゲートドライバ
さまざまな電力変換アプリケーションでのNチャンネルMOSFETまたはIGBTの駆動を目的に設計されています。
あなたの設計を完成させましょう
STMicroelectronics 標準製品
汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMのための幅広いドロップイン交換製品です。
公開: 2025-06-03
| 更新済み: 2025-06-19