STMicroelectronics EVSTGAP2GS デモボード

STMicroelectronics EVSTGAP2GSデモボードは、STGAP2GS絶縁シングルゲートドライバを評価するように設計されています。STGAP2GSは、2Aソース/3シンク機能およびレールツーレール出力で構成されています。これらの機能によって、中および高電力インバータ・アプリケーションに最適です。このデバイスは、専用のゲートレジスタを使用することで、ターンオンとターンオフを個別に最適化します。

STMicro EVSTGAP2GSボードを使用すると、 SGT120R65AL 75mΩ、650V EモードGaNトランジスタを駆動するすべての STGAP2GS オプションを評価できます。ボードの部品は、アクセスと変更が簡単で、さまざまなアプリケーション条件下でのドライバ性能評価が簡単になり、最終部品の微調整が可能になります。

特徴

  • デバイス
    • 最大1200Vの高電圧レール
    • 2A/3Aソース/シンク@ +25°C、VH = 6Vドライバ電流能力
    • 独立したシンク/ソースによってゲート駆動構成が容易
    • 45ns入力-出力伝搬遅延
    • GaN向けに最適化されたUVLO機能
    • 最大15Vのゲート駆動電圧
    • ヒステリシスで3.3V、5V TTL/CMOS入力
    • 温度シャットダウン保護
  • Board
    • ハーフブリッジ構成、最大650Vの高電圧レール
    • SGT120R65ALと650V、75mΩ標準、15A、 e モード PowerGaN トランジスタ
    • 負のゲート駆動
    • VAUX 5Vによって給電される高圧側および低圧側ゲートドライバを供給するオンボード絶縁DC/DCコンバータで、5.2kV最大絶縁あり
    • オンボード3.3VまたはVAUX = 5Vによって供給されるVDDロジック
    • 駆動電圧構成の+ 6V/0V; + 6V/-3Vの簡単なジャンパ選択

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ロケーション回路 - STMicroelectronics EVSTGAP2GS デモボード
公開: 2023-06-20 | 更新済み: 2023-06-26