STMicroelectronics EVSTGAP2GSN デモボード

STMicroelectronics EVSTGAP2GSNデモボードは、STGAP2GSN絶縁シングルゲートドライバの広範な評価を促進します。STGAP2GSNは、2Aソースおよび3Aシンク機能ならびにレール・ツー・レール出力によって指定されており、ミッドパワーおよびハイパワー・インバータ・アプリケーションに適しています。このデバイスには、専用のゲート抵抗が採用されており、ターンオンとターンオフを個別に最適化できます。

STMicro EVSTGAP2GSNボードを使用すると、SGT120R65AL 75mΩ、650V EモードGaNトランジスタを駆動するSTGAP2GSNのすべての機能を評価できます。ボードの部品は、アクセスと変更が簡単で、さまざまなアプリケーション条件下でのドライバ性能評価が簡単になり、最終部品の微調整が可能になります。

特徴

  • Board
    • ハーフブリッジ構成、最大650Vの高電圧レール
    • SGT120R65ALと650V、75mΩ標準、15A、 e モード PowerGaNトランジスタ
    • 負のゲート駆動
    • = VAUX 5Vによって給電される高圧側および低圧側ゲートドライバを供給するオンボード絶縁DC/DCコンバータで、1.5kV最大絶縁あり
    • オンボード3.3VまたはVAUX = 5Vによって供給されるVDDロジック
    • 駆動電圧構成の簡単なジャンパ選択: + 6V/0V、+ 6V/-3V
  • デバイス
    • 1700V機能絶縁
    • ドライバの電流能力: +25°C、VH = 6Vで2A/3Aソース/シンク
    • 独立したシンク/ソースによってゲート駆動構成が容易
    • 45ns入力-出力伝搬遅延
    • GaN向けに最適化されたUVLO機能
    • 最大15Vのゲート駆動電圧
    • ヒステリシスで3.3V、5V TTL/CMOS入力
    • 温度シャットダウン保護

コンポーネント配置トップ

STMicroelectronics EVSTGAP2GSN デモボード
公開: 2023-06-20 | 更新済み: 2023-06-23