STMicroelectronics EV-VNF1248F評価ボード

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) EV-VNF1248F 評価ボードは、インテリジェントなヒューズ保護機能を備えたハイサイドスイッチコントローラを、試作回路に組み込む作業を容易にします（使用しているコネクタの制約により、最大許容電流は32A）。組み立てが完了しているEV-VNF1248Fボードには、VNF1248Fおよび必須の電気部品が含まれています。

STMicro EV-VNF1248Fボードの設定により、負荷、電源、マイクロコントローラへの直接接続が可能となり、追加の外付け部品設計や接続が不要になります。STSW-EV-VNF1248Fが書き込まれた EV-SPC582B ボードと組み合わせると、EVVNF1248Fハイサイド・スイッチの性能評価を行うための包括的な評価ツールを構築できます。

特徴

車載アプリケーション向けに設計
一般：
- 車載用12V、24V、48Vアプリケーション向け電子ヒューズ保護機能搭載ハイサイドスイッチ制御IC
- SPIスレーブ・インターフェイス（ホスト制御用）
- 3.3Vおよび5VのCMOSレベルとの互換性のある32ビット ST-SPIインターフェイス
- 2段チャージポンプ
- ハイサイド（構成）における外部MOSFETのゲートドライブ
- 外付けハイサイド・シャント抵抗器を使用したSPIを介した高精度単方向デジタル電流センス
- 外部MOSFETの温度を監視するためのNTC抵抗器の入力
- 超低スタンバイ電流
- 高度な安全機能のための緊急停止ピンとリムプホームピン
- 専用のデジタル入力ピンによるデバイス構成ロックアウト
- T_J 、V_NTC 、V_OUT 、V_DS 、V_SENSE 変換用ADCを搭載
- CCM：容量性充電モード

顧客領域のプログラム/消去/読み出しのために組み込まれた、数回ほど書き換え可能な不揮発性メモリ（FTP NVM）
保護
- 外付けMOSFETのゲート端子のハードウェア制御用ダイレクト入力
- バッテリの低電圧シャットダウン
- SPIから構成できる外部MOSFET不飽和シャットダウン
- SPIから設定できるハード短絡ラッチオフ
- SPI（ヒューズ・エミュレーション）を介して構成できる電流対時間のラッチオフ
- 機器の温度過昇シャットダウン
- 外部MOSFETの温度過昇シャットダウン
- バッテリの逆接続と外部コンポーネントのGND喪失
車載アプリケーション向けの大電流ヒューズのインテリジェントな代替
特に車載の配電アプリケーション向けに設計