STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1 GaNベースのハーフブリッジ・パワーモジュール

STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1 GaNベースのハーフブリッジ・パワーモジュールには完全なプリント基板設計を必要とせずにトポロジを迅速に作成できるMASTERGAN1Lが搭載されております。LLCアプリケーションで動作するように微調整されたこのモジュールは、ゼロに設定されたローサイド抵抗器と各ハーフブリッジGaNに並列に接続された2つの外部ボディ・ダイオードを提供します。このモジュールは、ローサイド・センス抵抗器を適切に調整し、並列ダイオードを取り外すだけで、アクティブ・クランプや共振ピーク電流モードのフライバック・アプリケーションでも動作できます。