STMicroelectronics L9945 MOSFETプリドライバ

STMicroelectronics L9945 MOSFETプリドライバは、ローサイド、ハイサイド、ピークとホールド、Hブリッジ負荷制御向けに構成できます。L9945プリドライバは、12V(乗用車)および24V(商用車)のバッテリ・システム要件に準拠するように設計されています。L9945にはPWM制御出力が搭載されており、6つは安全関連負荷を駆動でき、1つは専用イネーブルピン(EN6)が必要の安全関連負荷の作動に特化できます。

このデバイスは「ピークアンドホールド」制御方式を必要とする最大2つの負荷を駆動でき、ドライバ出力は短絡状態から保護されています。L9945プリドライバは、2つの独立したHブリッジ制御の可能性を実現しており、過電流事象の場合に外部MOSを保護します。各出力は、バッテリへの短絡、接地の短絡、オープン負荷といった完全診断情報を実現できるだけでなく、専用SPIレジスタを介してステータスを常に監視することも可能です。

L9945 MOSFETプリドライバには、1~8個の外付けレジスタが実装されており、EM動作の向上を目的として電源オンおよびオフ時にそれらを制御する電圧スルーレートを実現できます。安全性の向上のために、このデバイスには、DISピンとNDISピンを介して利用できるダブル、冗長、外部無効電源があります。このデバイスは、32ビットプロトコルからSPI経由で設定できます。

特徴

  • AEC-Q100認定
  • 12Vおよび24Vバッテリ・システム・コンプライアンス
  • 3.3Vおよび5Vロジック互換I/O
  • 8チャンネル構成可能MOSFETプリドライバ
    • ハイサイド(NチャンネルとPチャンネルMOS)
    • ローサイド(NチャンネルMOS)
    • Hブリッジ(最大2つのHブリッジ)
    • ピークとホールド(2負荷)
  • 動作バッテリ供給電圧: 3.8V~36V
  • 動作VDD供給電圧: 4.5V~5.5V
  • 接地ピン以外のすべてのデバイスピン、40V以上に耐える
  • 個々の診断:
    • バッテリに対する短絡
    • オープン負荷
    • グランドに対する短絡
  • 柔軟性の高い過電流検出実装
    • 外部MOSドレイン-ソース電圧の監視の可能性
    • 外付けシャント抵抗器での電圧監視の可能性
    • 各チャンネルを対象とした64の独立したプログラマブル過電流閾値
    • 過電流の場合の超高速出力シャットダウン
  • Hブリッジ構成のための電流制限
  • EMI動作を改善するためのプログラマブル・ゲート充電/放電電流
  • 構成と診断に使用できる32ビットSPI制御
    • 診断読み取り中にエラーが発生しても障害をラッチ
    • デイジーチェーン動作
    • 過電圧に対するSDO保護
  • 安全機能
    • 2本の外部ピンを介して冗長スイッチをオフにする高速スイッチ
    • ロジック動作のためのビルトインセルフテスト (BIST)
    • VDD5過電圧コンパレータ向けハードウェアセルフチェック(HWSC)
    • 構成可能なコミュニケーションチェック(CC)ウォッチドッグ・タイマを利用可能
    • 双方向ピンからのフィードバックの無効化
    • 専用SPIレジスタを介した高冗長出力監視
  • バッテリ用の10ビットADCおよびSPIから実施できるダイ温度測定
  • 過電圧/低電圧用VDD5監視
  • 低電圧のためのVPS(バッテリ)モニタリング

ブロック図

ブロック図 - STMicroelectronics L9945 MOSFETプリドライバ
公開: 2019-03-27 | 更新済み: 2024-02-13