STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaNトランジスタは、要求の厳しい電力変換アプリケーション向けに設計された高性能エンハンストモード・トランジスタです。窒化ガリウム(GaN)技術で構築されたSTMicro SGT070R70HTOには、70MΩの低オン抵抗と最小限のゲート電荷が備わった卓越したスイッチング性能が備わっており、高周波動作での高い効率性と損失の低減が可能になります。700Vドレイン-ソース間電圧定格が備わっているこのトランジスタは、電源、モータドライブ、再生可能エネルギーシステムといったアプリケーションに最適です。小型で熱効率に優れたTO-LLパッケージを採用しており、熱管理とPCBスペースの間での優れたバランスが重視される設計に適しています。高スイッチング周波数および低入力電荷と出力容量は、高効率および高電力密度に貢献します。この特性を備えたSGT070R70HTOは次世代のパワー・エレクトロニクスにとって有力な選択肢として位置づけられます。特徴
- エンハンスメント・モード、ノーマリ・オフ・トランジスタ
- 非常に速いスイッチング速度
- 高電力管理機能
- 極めて低容量
- 最適なゲート駆動のためのKelvinソースパッド
- 逆回復電荷ゼロ
- ESD保護
- RoHS準拠
アプリケーション
- AC-DCコンバータ
- DC/DCコンバータ
- ソーラーインバータ
仕様
- 通行料金パッケージ
- ドレイン・ソース間電圧 最大700V
- ドレイン・ソース間過渡電圧 最大800V
- ゲート・ソース間電圧 最大-6V~7V
- 連続ドレイン電流 最大26A
- パルス・ドレイン電流 最大60A
- 総電力損失 最大231W
- ドレイン・ソース間逆電圧 標準2.4V
- 標準スイッチング時間
- ターンオン遅延時間 10ns
- 立ち上がり時間 9ns
- ターンオフ遅延時間 7ns
- 立ち下がり時間 9ns
- 静的
- ドレイン・ソース間リーク電流 最大65μA
- ゲート・ソース間リーク電流 標準110μA
- ゲート閾値電圧 1.2V~2.5V
- 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 標準122mΩ at +150°C
- ダイナミック
- 入力容量 標準300pF
- 出力容量 標準135pF
- 逆転送静電容量:標準2.3pF
- 等価出力容量(エネルギー関連)標準190pF
- 等価出力容量(時間関連)標準240pF
- 内部ゲート抵抗 標準1.4Ω
- ゲート・プラトー電圧 標準2.3V
- 総ゲート電荷 標準8.5nC
- ゲート・ソース電荷 標準0.7nC
- ゲート・ドレイン電荷 標準3.6nC
- 逆回復電荷 標準0nC
- 出力電荷 標準94.7nC
- HBM ESD定格 最大2kV
- 熱抵抗
- 接合部・ケース間 0.54°C/W
- 接合部・周囲間 56.47°C/W
- 動作温度(接合部)-55°C~+150°C
回路図
テスト回路
公開: 2025-10-15
| 更新済み: 2025-11-06
