STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaNトランジスタは、要求の厳しい電力変換アプリケーション向けに設計された高性能エンハンストモード・トランジスタです。窒化ガリウム(GaN)技術で構築されたSTMicro SGT070R70HTOには、70MΩの低オン抵抗と最小限のゲート電荷が備わった卓越したスイッチング性能が備わっており、高周波動作での高い効率性と損失の低減が可能になります。700Vドレイン-ソース間電圧定格が備わっているこのトランジスタは、電源、モータドライブ、再生可能エネルギーシステムといったアプリケーションに最適です。小型で熱効率に優れたTO-LLパッケージを採用しており、熱管理とPCBスペースの間での優れたバランスが重視される設計に適しています。高スイッチング周波数および低入力電荷と出力容量は、高効率および高電力密度に貢献します。この特性を備えたSGT070R70HTOは次世代のパワー・エレクトロニクスにとって有力な選択肢として位置づけられます。

特徴

  • エンハンスメント・モード、ノーマリ・オフ・トランジスタ
  • 非常に速いスイッチング速度
  • 高電力管理機能
  • 極めて低容量
  • 最適なゲート駆動のためのKelvinソースパッド
  • 逆回復電荷ゼロ
  • ESD保護
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • AC-DCコンバータ
  • DC/DCコンバータ
  • ソーラーインバータ

仕様

  • 通行料金パッケージ
  • ドレイン・ソース間電圧 最大700V
  • ドレイン・ソース間過渡電圧 最大800V
  • ゲート・ソース間電圧 最大-6V~7V
  • 連続ドレイン電流 最大26A
  • パルス・ドレイン電流 最大60A
  • 総電力損失 最大231W
  • ドレイン・ソース間逆電圧 標準2.4V
  • 標準スイッチング時間
    • ターンオン遅延時間 10ns
    • 立ち上がり時間 9ns
    • ターンオフ遅延時間 7ns
    • 立ち下がり時間 9ns
  • 静的
    • ドレイン・ソース間リーク電流 最大65μA
    • ゲート・ソース間リーク電流 標準110μA
    • ゲート閾値電圧 1.2V~2.5V
    • 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 標準122mΩ at +150°C
  • ダイナミック
    • 入力容量 標準300pF
    • 出力容量 標準135pF
    • 逆転送静電容量:標準2.3pF
    • 等価出力容量(エネルギー関連)標準190pF
    • 等価出力容量(時間関連)標準240pF
    • 内部ゲート抵抗 標準1.4Ω
    • ゲート・プラトー電圧 標準2.3V
    • 総ゲート電荷 標準8.5nC
    • ゲート・ソース電荷 標準0.7nC
    • ゲート・ドレイン電荷 標準3.6nC
    • 逆回復電荷 標準0nC
    • 出力電荷 標準94.7nC
  • HBM ESD定格 最大2kV
  • 熱抵抗
    • 接合部・ケース間 0.54°C/W
    • 接合部・周囲間 56.47°C/W
  • 動作温度(接合部)-55°C~+150°C

回路図

回路図 - STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ

テスト回路

機械図面 - STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
公開: 2025-10-15 | 更新済み: 2025-11-06