STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ

STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタは、要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化された、高性能エンハンスメントモードPowerGaNトランジスタです。700Vのドレイン-ソース電圧定格および350mΩの最大オン抵抗が備わっているSTMicroelectronics SGT350R70GTKは、窒化ガリウム(GaN)技術のおかげで低導通損失および高速スイッチング機能を発揮します。熱的に強化されたDPAK形式にパッケージングされており、高電流処理および改善された熱放散に対応しており、高密度電力設計に適しています。低ゲート電荷と出力容量によって高周波数動作が可能になり、工業、テレコム、消費者向け電子機器分野における力率補正(PFC)、共振コンバータ、その他の高度電力トポロジでの使用に最適です。

特徴

  • エンハンスメントモード通常オフトランジスタ
  • 超高速スイッチング
  • 高電力管理機能
  • 極めて低容量
  • ゼロ逆回復電荷
  • ESD保護
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • 家電製品
  • 産業用システム
  • データセンター
  • タブレット、ノートブック、AIO用アダプタ
  • USB Type-C® PDアダプタとクイック充電器
  • 共振コンバータ
  • 力率補正(PFC)段

仕様

  • ドレイン-ソース間最高電圧:700V
  • ドレイン-ソース間最高過渡電圧:800V(tp <>
  • ゲート-ソース間最高電圧:-1.4V ~ 7V
  • 最大連続ドレイン電流:6A(+25°C)
  • 最大パルスドレイン電流:10A(tp = 10μs)
  • 最大総電力損失:47W(+25°C)
  • ソース-ドレイン間逆導通電圧:2.6V(typ)
  • スイッチング
    • ターンオン遅延時間:0.9ns(typ)
    • 3.5ns 標準立ち上がり時間
    • ターンオフ遅延時間:1.2ns(typ)
    • 6.1ns 標準立ち下がり時間
  • 静的
    • ドレイン-ソース間最大リーク電流:12μA
    • ゲート-ソース間リーク電流: 30μA(typ)
    • ゲート閾値電圧範囲:1.2V ~ 2.5V
    • ドレイン-ソース間最大静的オン抵抗:350mΩ
  • 人体モデル(HBM) ESD保護:2kV
  • 接合部動作温度範囲: -55°C ~ +150°C
  • ダイナミック
    • 入力容量:50p(typ)
    • 出力容量:15pF(typ)
    • 逆転送静電容量:標準0.2pF
    • エネルギー関連等価出力容量:20pF(typ)
    • 時間関連等価出力容量:28pF(typ)
    • 真性ゲート抵抗:11Ω(typ)
    • ゲートプラトー電圧: 2.2V(typ)
    • ゲート総電荷:1.5nC(typ)
    • ゲート-ソース間電荷:0.15nC(typ)
    • ゲートドレイン間電荷:0.5nC(typ)
    • 逆回復電荷:0nC (typ)
    • 出力電荷:13nC(typ)
  • 熱抵抗
    • 接合部-ケース:2.63°C/W
    • 接合部-周囲:56°C/W

回路図

回路図 - STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ

テスト回路

機械図面 - STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
公開: 2025-10-20 | 更新済み: 2025-10-28