STMicroelectronics NチャネルMDmesh™ VパワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、独自の革新的な垂直プロセスとSTマイクロエレクトロニクスの有名なPowerMESH™水平レイアウト構造を組み合わせた革命的パワーMOSFET技術、MDmesh™ Vを採用しています。STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、シリコンベースのパワーMOSFETでは類を見ない極めて低いオン抵抗を達成し、特に、優れた出力密度と卓越した効率を必要とするアプリケーションに適しています。

STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFETs feature a silicon-based technology that combines an innovative proprietary vertical technology process with STMicroelectronics' PowerMESH horizontal layout. This technology achieves up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establishes a new milestone in the power switch arena.

View Surface Mount | Thru-Hole | MDmesh M5 Power MOSFETs

特徴

  • Outstanding RDS(on) area values
  • Fast switching
  • High VDSS rating
  • High dV/dt capability
  • Easy to drive
  • 100% avalanche tested

アプリケーション

  • SMPS (computers, high-efficiency adapters, and telecom)
  • Lighting (electronic ballast, HID)
  • Displays (TVs, monitors)
  • Solar converters
公開: 2011-09-15 | 更新済み: 2025-10-24