STMicroelectronics SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクスツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。

Automotive Grade Product

1200V automotive-grade devices for battery management are now available. These devices have unequaled robustness at very high BVDSS and are AEC-Q101 qualified. The 1200V breakdown voltage of these devices protects automotive battery systems.

The K5 series are available at 800V, 850V, 900V, 950V, 1050V, 1200V, 1500V, and 1700V. ST has extended its portfolio of super-junction MDmesh K5 MOSFETs with the introduction of automotive-grade and 1700V devices. The devices provide the lowest R_DS(on) per area and lowest gate charge (down to 47nC). This results in the industry's best figure of merit (FoM). The higher breakdown voltage ensures a higher safety margin for more robust and reliable applications. They are ideal for wide input voltage range auxiliary power supplies in high-power applications like solar inverters, factory automation, industrial drives, and welding.