EPCOS設計キット

• 4.5～56mHのL_R

• 3.3～100mHのL_R
• 公称電圧250VAC/250VDC
• 空間距離および沿面距離 > 3 mm
• 高さ: 20 +0.5mm;
  リードスペース: 12.5 x 10 ±0.2mm
• 高インダクタンスまたは中間値が可能
• 最大高さ15.5mmの水平シリーズB82731Hのご用意あり
• B82732R/W（I_R最大2.2A）シリーズおよびB82734R/W（I_R最大4.6A）
  シリーズで利用可能な、より高い定格電流IR

• 10～100mHのL_R
• 定格電圧: 250VAC
• 沿面距離および空間距離: > 3mm
• リードスペース: 18.75 x 10.0 ±0.2mm
• 気候分類40/125/56（IEC 60068-1に対して）
• 優れた差動モード抑制

• 10～100mHのL_R
• 定格電圧: 250VAC
• 沿面距離および空間距離: > 3mm
• リードスペース: 22.5 x 20.0 ±0.2mm
• 気候分類40/125/56（IEC 60068-1に対して）
• 優れた差動モード抑制

• 0.2～39mH
  のL_R
• 定格電圧: 250VAC (50/60Hz)
• リクエストに応じて高インダクタンスまたは中間値が可能
• 対称干渉抑制のための約1%の浮遊インダクタンス
• B82722 … B82726シリーズと利用可能な高い定格電流I_R
• リードスペース5 x 10mmの垂直バージョンでご用意あり（B82721J*）

• 1.2～47mHのL_R
• 定格電圧: 250VAC (50/60Hz)
• リクエストに応じて高インダクタンスまたは中間値が可能
• 対称干渉抑制のための約1%の浮遊インダクタンス
• B82723 … B82726シリーズと利用可能な高い定格電流I_R

• PTCセラミックに基づいたセルフ保護充電レジスタは、電源のスムーズなコンデンサに適合
• コンデンサ充電用に、ハイパワー固定レジスタの交換向け
• 高パルス電流および高頻度の動作サイクル向けです。
  

• AEC-Q200改訂C、EIAケースサイズ3225および4032対象に基づいた認定
• リフロー（全種類）およびウェーブはんだ付け（EIAケースサイズ3225および4032のみ）に適合
• リードフリーすずめっきの終端
• RoHS対応品
  

• 12Vアプリケーションを対象にセラミック加熱エレメントを自己制御
• 電気的電力消費は、自動的に周囲の熱的条件に適応
• RoHSとの互換性あり
• 圧力接点用の設計

• 230Vアプリケーションを対象にセラミック加熱エレメントを自己制御
• 電気的電力消費は、自動的に周囲の熱的条件に適応
• RoHSとの互換性あり
• 圧力接点用の設計

• リードありトランジェント電圧/ RFIサプレッサ（SHCVバリスタとも呼ばれる）は、シングルコンポーネントのリードありデバイスで、組み合わされた過電圧保護および工業/車載用アプリケーションにおける小型電気モーターのDCライン上でのRFIノイズ抑制用です。
• SHCVバリスタは、高電気容量マルチレイヤーコンデンサとX7R特性の組み合わせで、トランジェント保護を目的としたRFフィルタリングおよびマルチレイヤーバリスタ用です。

• MLVはマルチレイヤー半導体コンポーネントで、安全性に関連したデータラインおよびバスシステムのESD保護、および車載用電子デバイスでの高エネルギートランジェント保護（例負荷ダンプやジャンプスタート）を目的としています。
• MLVは セミコンダクタ ダイオードと置き換え可能です。

• SMDディスクバリスタ（CUバリスタとも呼ばれる）はセラミック半導体コンポーネントで、民生、通信、工業、車載用アプリケーションでのサージ電流保護を目的としています。
• SMDディスクバリスタは、SMD取り付け用のカプセル化されたディスクバリスタで、ケースサイズ3225でのリードありディスクバリスタSIOV-S05（ディスク直径5mm）、およびケースサイズ4032でのSIOV-S07（ディスク直径7mm）と電気的に同等物です。

• ESDおよび高エネルギートランジェント用の双方向保護
• 高エネルギー対応能力、高電流対応
• 高い信頼性、安定的な保護水準、優れた長期間の耐久性
• マルチストライク能力
• 低漏洩電流、低寄生インダクタンス

• 使用可能な帯域幅: 1 … 30MHz
• チップ基板: タンタル酸リチウム
• 入力/出力: 50Ohm
• 低挿入減衰

狭帯域フィルタ

• 使用可能な帯域幅: 0.1 … 1.1MHz
• チップ基板: クォーツ
• 入力/出力: 一致で50Ohm
• 優れた選択性
• 低挿入減衰

共振器

• 中央周波数公差: ±2 kHz; ±50kHz
• チップ: クォーツ基板
• 挿入損失: < 1.5dB（標準）
• TPMS Tx向けリクエストに応じて利用可能な周波数オフセットが備わった共振器（例315.04MHz）

• AEC-Q200改訂Cに基づいた認定
• リフローおよびウェーブはんだ付け（最大280°C）に適合
• 迅速かつ信頼性の高い応答
• RoHSとの互換性あり
• UL承認～UL1434保留中
• リードフリーすずめっきの終端

• IEC 60539で定義したように、NTC（負の温度係数）サーミスタは熱的に敏感な半導体レジスタで、温度の上昇につれて抵抗の低下を示す
• SMD NTCは、温度測定および補償用に設計
• AEC-Q200改訂Dに基づいた認定
• 動作温度範囲: -40... +150°C
• 利用可能ケースサイズ: 0402、0603、080
•  抵抗値4.7～最大100kΩ
• 異なるB値
• 高温多湿環境での卓越した長期間の経年劣化安定性
• ニッケルバリア終端およびリードフリーはんだぬれ性

• IEC 60539で定義したように、NTC（負の温度係数）サーミスタは熱的に敏感な半導体レジスタで、温度の上昇につれて抵抗の低下を示します。
• SMD NTCは、温度測定および補償用に設計されています。
• 利用可能ケースサイズ: 0402、0603、0805（リクエストがあれば1260）
• 抵抗値1kΩ～最大680kΩ
• 動作温度範囲: -55... +125°C
• 広範な異なるB値
• 高温環境での卓越した長期間の経年劣化安定性
• ニッケルバリア終端およびリードフリーはんだぬれ性

• 最低±1%の低抵抗公差が備わった高精度温度センシング
• 標準で最大+125°Cの高温および車載用+150°Cの能力
• 高温環境での卓越した長期間の経年劣化安定性
• ニッケルバリア終端およびリードフリーはんだぬれ性
• 車載用製品範囲: AEC-Q200認定
• 抵抗値10kV～最大470kV
• 小型EIAケースサイズ0402および0603
• PSpiceライブラリを利用可能

• 1.5～220nHのL_R
• 公差±0.3nHおよび±5%

• 2.7～820nHのL_R
• 公差±5%および±10%

• 0.015～100µHのL_R
• 公差±10%

• 0.015～100µHのL_R
• 公差±10%

• 1.0～1000µHのL_R
• 公差±10%

• 1.0～1000µHのL_R
• 公差±10%
• 高電流タイプが可能

• 動作温度: -40～+130°C
• フラットなワイヤ巻線: 極めて低い抵抗値のコイル
• 可能な限り最小の形状を目的とした、本体終端の下でのセルフリード構造機能

• 動作温度: -40～+130°C
• フラットなワイヤ巻線: 極めて低い抵抗値のコイル
• コア: 高飽和/低損失フェライト