Texas Instruments CSD96497Q5MC NexFET™スマート電力段

Texas Instruments CSD96497Q5MC NexFET™スマート電力段には、高度に最適化された設計が採用されており、高電力・高密度の同期バックコンバータでの使用を目的としています。この電力段スイッチング機能は、内蔵ドライバICとパワーMOSFETを介して完了します。この組み合わせによって、小型の外形5mm×6mmパッケージで大電流、高い効率性、高速スイッチング機能が生み出されます。CSD96497Q5MC電力段には、高精度電流センシング機能が統合されており、システム設計の簡素化と精度の向上を実現できます。この電力段PCBフットプリントは、設計時間の短縮と全体的なシステム設計の完成の簡素化を促進するように最適化されています。

特徴

  • 連続動作電流能力: 65A
  • 30Aで93.5%以上のシステム効率
  • 高周波動作(最大1.25MHz)
  • FCCMによるダイオード・エミュレーション・モード
  • 温度補償双方向電流検出
  • アナログ温度出力
  • 故障監視 - OTP、HS OCP、短絡保護
  • 3.3Vおよび5V PWM信号との互換性あり
  • 内蔵ブートストラップスイッチ
  • トライステートのPWM入力
  • シュートスルー保護用に最適化されたデッドタイム
  • 高密度QFN 5mm × 6mmフットプリント
  • インダクタンスの非常に低いパッケージ
  • システム最適化PCBフットプリント
  • DualCool™パッケージ
  • RoHS準拠、リードフリー端子メッキ
  • ハロゲンフリー

アプリケーション

  • 多相同期バックコンバータ
  • 高周波アプリケーション
  • 大電流、低デューティサイクル・アプリケーション
  • POL DC-DCコンバータ
  • メモリおよびグラフィックカード
  • デスクトップとサーバVR12.xおよびVR13.x Vコア同期バック・コンバータ
  • ネットワーク通信用の高電流POL

簡略化されたアプリケーション

アプリケーション回路図 - Texas Instruments CSD96497Q5MC NexFET™スマート電力段
公開: 2019-03-20 | 更新済み: 2023-08-07