Texas Instruments DRV7308 三相 650V GaN インテリジェント パワーモジュール
テキサス・インスツルメンツ (Texas Instruments) DRV7308 三相窒化ガリウム(GaN)インテリジェント パワーモジュール(IPM)は、最大450VDC レールの三相ブラシレスDC(BLDC)モータおよび永久磁石同期モータ(PMSM)を駆動するために、205mΩ、650VのEモードGaNを搭載しています。主なアプリケーションには、BLDCモータのベクトル制御(FOC)、正弦波電流制御、および台形波(120度通電)電流制御などがあります。DRV7308モジュールは、三相変調およびFOC駆動による250Wのモータ駆動アプリケーションにおいて、99%を超える効率の達成をサポートします。これらはすべて12mm x 12mmのQFNパッケージかつ20kHzのスイッチング周波数で実現されており、その結果としてヒートシンクの必要性を排除しています。DRV7308 GaN IPMは、短いデッドタイムによる超静音動作を実現し、家電製品、HVAC用ポンプおよびファン、住宅用エアコン、レンジフード、ブラシレスDCモータモジュールなどに最適です。特徴
- 650V エンハンスメントモードGaN FET内蔵の三相PWMモータドライバ
- 動作電圧:最大450V(絶対最大定格電圧 650V)
- ピーク電流出力能力:5A
- 低オン状態抵抗による導通損失の低減(GaN FETあたり):205mΩ RDS(ON)(TA = 25°C時)
- 低スイッチング損失:ゼロ逆回復、低出力容量、スルーレート制御
- 低歪み
- 伝搬遅延:<>
- 適応型デッドタイム:<>
- 位相ノード電圧のスルーレート制御機能を備えたゲートドライブを内蔵
- スルーレートオプション:5V/ns〜40V/ns
- 最小500nsのローサイドのオンタイムをサポート(高速ブートストラップGaN整流器内蔵)
- ローサイドGaN FETの開放されたソース ピンにより、1/2/3シャントの電流センシングをサポート
- 最大60kHzのハードスイッチングをサポート
- シングルシャント電流センシング用に11MHz、15V/µs アンプを内蔵
- 3.3Vおよび5Vのロジック入力に対応
- ローサイドのすべてのGaN FETの一斉オンを可能にするBRAKE機能を内蔵
- 集積温度センサ
- >1.6mm クリアランス(OUTx - OUTx間、VM - OUTx間、OUTx - PGND間)
- 2mm クリアランス(VM - PGND間)
- 内蔵保護機能
- GVDDおよびブートストラップの低電圧ロックアウト(UVLO)
- 各GaN FETの過電流保護
- 過熱保護
- PWM入力デッドタイム
- 内蔵コンパレータによる三相すべてに対する電流制限保護
- フォルト状態表示ピン(HV_nFAULT)
- QFN 12mm x 12mmパッケージ
アプリケーション
- 冷凍庫および冷蔵庫
- 家電およびHVAC用ポンプ/ファン
- 食器洗い機
- 小型家電
- 住宅用エアコン
- レンジフード
- ブラシレスDCモータモジュール
ビデオ
簡略図
公開: 2024-06-12
| 更新済み: 2026-02-10
