Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDCゲートドライバ
Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1 3相BLDCゲートドライバは、それぞれがハイサイドとローサイドNチャンネルパワーMOSFETを駆動できる3つのデバイスを提供しています。DRV8329ドライバは、内部充電ポンプを使用して正しいゲート駆動電圧を生成し、ブートストラップ回路を使用してハイサイドMOSFETを強化します。さらに、トリクル充電ポンプが搭載されており、100%のデューティサイクルを実現できます。
ゲートドライブのアーキテクチャは、最大1Aのソース電流と2Aのシンク電流のピークゲートドライブ電流を維持します。TIDRV8329/DRV8329-Q1ゲート・ドライバは単一電源で動作し、4.5V～60Vの広い入力電源範囲をサポートします。DRV8329/DRV8329-Q1の6xおよび3x PWMモードにより、コントローラ回路との簡単なインターフェイス接続が可能です。また、正確な3.3V LDOが内蔵されており、外部コントローラへの電力供給およびCSA のリファレンス（電圧）として使用できます。デバイスのコンフィギュレーション設定は、ハードウェア（H/W）ピンで設定可能です。DRV8329/DRV8329-Q1デバイスはローサイド電流センスアンプを内蔵しており、駆動段の3相すべての電流の合計に対する電流センスが可能です。
ほとんどの内部回路をシャットダウンすることで、低静止電流を実現する低電力スリープ・モードを備えています。デバイスには、低電圧ロックアウト、GVDD障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、過温度の内部保護機能があります。障害状態は nFAULT ピンに表示されます。
DRV8329-Q1は、自動車アプリケーション向けAEC-Q100認定を受けています。
特徴
- 自動車アプリケーション向けAEC-Q100認定：
- TA温度グレード1、-40°C～+125°C、
- 65V三相ハーフブリッジゲートドライバ
- 3xハイサイドおよび3xローサイドNチャネルMOSFET（NMOS）を駆動
- 動作電圧範囲: 4.5V~60V
- トリクル充電ポンプを用いた100% PWM負荷サイクルをサポート
- ブートストラップ・ベースのゲートドライバ・アーキテクチャ
- 1000mA最大ピークソース電流
- 最大ピークシンク電流: 2000mA
- 低入力オフセット（1シャント向けに最適化）を備えた内蔵電流センスアンプ
- 調整可能ゲイン（5V、10V、20V、40V/V）
- ハードウェアインターフェイスによる簡単な構成が可能
- +25°Cで<1uAの超低消費電力スリープモード
- 4ns(標準) 位相間の伝搬遅延マッチング
- 独立したドライバシャットダウン経路（DRVOFF）
- 65Vトレラント・ウェイク・ピン（nSLEEP）
- SHxで最大-10Vの負の過渡をサポート
- 6xおよび3x PWMモード
- 3.3Vおよび5Vロジック入力をサポート
- 正確なLDO（AVDD）、3.3V ±3%、80mA
- コンパクトなQFN パッケージとフットプリント
- VDSLVLピンを介して調整できるVDS過電流閾値
- DTピンを介してデッドタイムを調整可
- パワーブロックを活用した効率的なシステム設計
- 集積保護機能
- PVDD低電圧ロックアウト（PVDDUV）
- GVDD Undervoltage (GVDDUV)
- ブートストラップ低電圧（BST_UV）
- 過電流保護（VDS_OCP、SEN_OCP）
- 熱シャットダウン（OTSD）
- フォルトコンディションインジケータ（nFAULT）
アプリケーション
- ブラシレス-DC（BLDC）モーターモジュールとPMSM
- コードレスガーデン・パワーツール、芝刈り機
- 家電製品、ファン、ポンプ
- サーボ駆動
- 電動バイク、電動スクータ、Eモビリティ
- コードレス電気掃除機
- ドローン
- 産業用・物流用ロボット、RC玩具
ブロック図
関連評価モジュール
Texas Instruments DRV8329AEVMゲートドライバ評価モジュール
30A、三相ブラシレスDC駆動段で、BLDCモータを対象としたDRV8329Aゲートドライバに基づいています。
公開: 2022-12-19
| 更新済み: 2025-05-08