Texas Instruments 窒化ガリウム（GaN）

このパワーGaNによって、新しいパワー・スイッチである高電子移動度トランジスタ（HEMT）が可能になります。HEMTは、電界効果トランジスタ（FET）で、同等サイズのシリコン・パワー・トランジスタに比べて高速スイッチングを実現しており、さらなる低オン抵抗が可能になります。このメリットによって、電力変換のエネルギーとスペース効率がさらに高まります。シリコン基板上で成長したGaNモジュールによって、シリコン製造機能の使用が可能になります。これらのメリットによって、このパワーHEMTは、信頼性が実装されているワイヤレス基地局で広く使用できます。

電力密度の増大、dV/dt耐性の最大化、最適化されたドライブ強度によって、ノイズが低減され効率性が向上しています。高電圧・高効率PFCおよびLLCリファレンス設計は、LMG3410 600V GaN電力段によって給電されており、設計ソリューションに利用できます。複数のシングル段48V電力変換設計は、LMG5200 80V GaN電力段を使用して達成できます。

GaNエコシステムによって、新しい独自のが実現し、障壁が低減されます。アナログおよびデジタルGaN FETコントローラは、TI GaN電力段およびディスクリートGaN FETとシームレスにペアリングできます。