Texas Instruments LMG3616 650V、GaNパワーFET

Texas Instruments LMG3616 650V、GaNパワーFETは、スイッチモード電源アプリケーション向けに270mΩ 抵抗を提供し、ゲート・ドライバと保護機能を内蔵しています。このGaN FETは、8mm x 5.3mmのQFNパッケージにGaN FETとゲート・ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。LMG3616 GaN FETは、プログラマブルなターンオン・スルーレートにより、EMIとリンギングを制御できます。トランジスタの内蔵ゲート・ドライバは、ドライブ電圧を調整してGaN FETのオン抵抗を最適化します。この内蔵ドライバは、全体的なゲート インダクタンス値とGaN FET同相インダクタンス値を低減し、同相過渡耐性 (CMTI) を含むスイッチング性能を向上させます。主なアプリケーションは、AC/DC USB壁コンセント用電源、AC/DC補助電源、テレビ、TV用SMPS、モバイル端末用壁コンセント充電器の設計、USB壁コンセント用電源などです。