特徴
- 高ゲイン帯域幅積: 8GHz
- 非補償、ゲイン≥7V/V(安定)
- 低入力電圧ノイズ: 0.98nV/√Hz
- スルー・レート: 2750V/µs
- 3VPP合計出力スイング
- 供給電圧範囲: 3.3V~5.25V
- 自己消費電流: 17.8mA
- パッケージ: 8ピンWSON
- 温度範囲: –40~+125°C
- 低入力容量:
- コモンモード: 0.6pF
- 差動: 0.2pF
- 広い入力コモンモード範囲:
- 正電源から0.4V
- 負供給から1.1V
アプリケーション
- 高速トランスインピーダンス・アンプ
- レーザー距離測定
- CCD出力バッファ
- 高速バッファ
- 光時間領域リフレクトメトリ(OTDR)
- 高速アクティブ・フィルタ
- 3Dスキャナ
- シリコン光電子増倍管(SiPM)バッファ・アンプ
- 光電子増倍管ポスト・アンプ
Datasheets
ブロック図
公開: 2018-11-21
| 更新済み: 2025-07-10

