Texas Instruments THS7530-Q1可変ゲインアンプ
Texas Instruments THS7530-Q1可変ゲインアンプは、TIの最先端のBiCom III SiGe相補型バイポーラプロセスを使用して製造されています。THS7530-Q1はDC結合の広帯域幅アンプで、電圧制御ゲインが備わっています。このアンプには、高帯域幅ゲイン制御、出力コモンモード制御、出力電圧クランピングが備わった高インピーダンス差動入力および低インピーダンス差動出力があります。信号チャネルの性能は、300MHzの帯域幅、および400Ωに1VPPの出力がある32MHzで-61dBcの3次高調波歪みと格別です。ゲイン制御は、38.8dB/Vゲインスロープで11.6dB～46.5dBゲインを変化させる0V～0.9VでのdBにおける線形です。出力電圧制限が実現しており、出力電圧スイングを制限して飽和以下の段階を防止できます。
特徴
- 車載アプリケーション向けに品質評価済み
- AEC-Q100で品質評価済み、結果は以下のとおり:
- デバイス温度グレード1: –40°C～125°Cの動作周囲温度範囲
- デバイスHBM分類レベル2
- デバイスCDM分類レベルC6
- 低ノイズ: VN = 1.1nV/√Hz、
- ノイズ指数= 9 dB
低損失:HD2 =–65dBc、HD3 =–61dBcで32MHz - IMD3 = –62dBc, OIP3= 21dBm @ 70MHz
- 300MHz帯域幅
- 連続可変
- ゲイン範囲: 11.6dB～4650dBゲインスロープ: 38.8dB/V
- 完全差動入力と出力
- 出力コモンモード電圧制御
- 出力電圧制限
- すべての商標は、 の財産
アプリケーション
- 超音波、ソナー、レーダーの時間ゲインアンプ
- 通信とビデオの自動ゲイン制御
- 通信におけるシステムゲインキャリブレーション
Datasheets
Functional Block Diagram
公開: 2016-04-26
| 更新済み: 2025-08-01