Texas Instruments TPS65295 DDR4メモリ・パワー・ソリューション
Texas Instruments TPS65295 DDR4メモリ電力ソリューションには、2つの同期バックコンバータ（VPP、VDDQ）および1Aシンク/ソースVDDQ追跡LDO（VTT）、バッファされた低ノイズ・リファレンス（VTTREF）が統合されています。TPS65295には、充実した機能に加えて優れた電源性能も備わっています。このデバイスには、使い勝手の良さ、高速過渡、外部補償回路を使用しないセラミック出力コンデンサのサポートを目的に、600kHzスイッチング周波数が備わっているD-CAP3™モードが適用されています。
TPS65295 DDR4メモリ電力ソリューションは、DDR4パワーアップおよびパワーダウン・シーケンス要件のJEDEC規格を満たしています。このデバイスは、柔軟性に富んだ電力状態制御をサポートしており、S3でVTTを高Zにし、S4/S5状態でVDDQ、VTT、VTTREFを放電します。その他の利用可能な機能には、OVP、UVP、OCP、UVLO、熱シャットダウン保護があります。TPS65295は、熱的に強化された18ピンHotRod™ VQFNパッケージを実現しており、接合部温度範囲–40°C～125°Cで動作します。
特徴
- 同期バックコンバータ（VDDQ）
- 入力電圧範囲: 4.5V～18V
- 1.2Vの固定出力電圧
- 高速過渡応答付のためのD-CAP3™モード制御
- 連続出力電流: 8A
- 高度Eco-mode™パルス・スキップ
- 内蔵型の22mΩおよび8.6mΩのRDS（オン）内部パワースイッチ
- スイッチング周波数: 600kHz
- 内部ソフトスタート: 1.6ms
- サイクル別の過電流保護
- ラッチ出力OV、UV保護
- バッファ付きリファレンス（VTTREF）
- バッファ、低ノイズ、±10mAの性能
- 出力精度: 0.8%
- 出力放電機能
- シーケンス制御の電源投入と切断
- OTおよびUVLO保護のための非ラッチ
- 18ピン、3.0mm × 3.0mm HotRod™ VQFNパッケージ
- 同期バックコンバータ（VPP）
- 入力電圧範囲: 3V～5.5V
- 2.5Vでの固定出力電圧
- 高速過渡応答付のためのD-CAP3™モード制御
- 連続出力電流: 1A
- 高度Eco-mode™パルス・スキップ
- 内蔵型の150mΩおよび120mΩ RDS（オン）内部パワースイッチ
- スイッチング周波数: 580kHz
- 内部ソフトスタート: 1ms
- サイクル別の過電流保護
- ラッチ出力OV、UV保護
- 1A LDO（VTT）
- 1A連続シンク/ソース電流
- 10μFのセラミック出力コンデンサのみ必要
- S3での高Zに対応
- ±30mV VTT出力精度（DC+AC）
- 低自己消費電流: 150µA
- 電源正常インジケータ
アプリケーション
- DDR4メモリ電源
- ノートPC、PC、サーバ
- ウルトラブック、タブレット
- シングルボード・コンピュータ、コンピュータ・オン・モジュール
ブロック図
評価モジュール
Texas Instruments TPS65295EVM-079評価モジュール
TPS65295完全電力ソリューションの機能の広範な評価を促進します。
公開: 2019-03-20
| 更新済み: 2023-08-08