Texas Instruments TPSI2072-Q1 2チャネル、絶縁型ソリッドステートリレー
Texas Instruments TPSI2072-Q1 2チャンネル絶縁ソリッドステートリレー(SSR)は、高電圧車載および産業アプリケーション向けに設計されています。TPSI2072-Q1には、TIの信頼性の高い容量絶縁技術が内部バックツーバックMOSFETと組み合わされており、二次側電源を必要としない完全統合ソリューションを形成します。TPSI2072-Q1は、TIの静電容量絶縁技術によって、機械式リレーおよびフォトリレーコンポーネントで一般的な機械的磨耗や光劣化故障モードが発生しないため、システムの信頼性が向上します。
デバイスの一次側は、わずか9mAの入力電流によって給電され、フェイルセーフEN1およびEN2ピンが組み込まれており、VDD 供給のバックの可能性を防止します。大半のアプリケーションでは、デバイスのVDD ピンを4.5V～20Vの間のシステム電源に接続する必要があります。また、デバイスのEN1およびEN2ピンは、2.1V～20Vの間のロジックHIが備わったGPIO出力によって駆動する必要があります。VDD 、EN1、EN2ピンは、他のアプリケーションでシステム電源またはGPIO出力から直接駆動できます。
2次側の各チャネルは、双方向（バック対バック）MOSFETで構成されており、SMからS1およびSMからS2へのスタンドオフ電圧は+/-600Vです。TPSI2072-Q1 MOSFETのアバランシェ堅牢性と熱に配慮したパッケージ設計によって、外付け部品を必要とせずにシステムレベルの絶縁耐力試験（ハイポット）および最大2mAのDC高速充電器サージ電流に耐えることができます。
特徴
- 車載アプリケーション用に認定済み
- AEC-Q100 grade 1 (-40～125°C TA)
- アバランシェ定格のMOSFETを内蔵
- 誘電体耐性試験（Hi-Pot）の信頼性を考慮して設計および認定済み
- IAVA = 2mA (5sパルス用）、1mA (60sパルス用）
- VHIPOT 、5s = Rシリーズ > 1.83MΩで4,300V
- VHIPOT 、5s = Rシリーズ > 1.1MΩで2,850V
- スタンドオフ電圧 600V
- RON = 65Ω (TJ = 25°C)
- IOFF = 1µA（500V (TJ = 105°C時)
- 誘電体耐性試験（Hi-Pot）の信頼性を考慮して設計および認定済み
- 1次側の低消費電流
- オン状態電流 5mA 1チャネル、9mA 2チャネル
- 機能安全対応
- ISO 26262およびIEC 61508システムの設計を支援するドキュメントを使用可能
- 堅牢な絶縁バリア
- 1,000VRMS/15,00VDC 作動電圧で26年の予測寿命
- 絶縁定格、VISO 、最大3,750VRMS/53,00VDC
- 熱性能の向上を目的とした広いピンが備わったSOIC 11ピン(DWQ)パッケージ
- 沿面距離と空間距離 8mm以上（1次側 / 2次側）
- 沿面距離と空間距離 3mm以上（スイッチ端子間）
- 安全関連認定
- DIN VDE V 0884-11:2017-01（計画中）
- UL 1577部品認定プログラム（計画中）
アプリケーション
- ソリッドステートリレー
- ハイブリッド、電気、パワートレインシステム
- バッテリマネジメントシステム（BMS）
- エネルギー貯蔵システム（ESS）
- ソーラーエネルギー
- オンボード充電器
- EV充電インフラ
ビデオ
簡素化されたアプリケーション・スキーム
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公開: 2023-08-23
| 更新済み: 2025-03-11