Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFETゲートドライバ

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFETゲートドライバは、EV/HEVアプリケーションの高出力SiC MOSFETおよびIGBTを駆動するための高度に構成可能な絶縁型シングルチャンネル ゲートドライバです。シャント抵抗–ベースの過電流保護、NTCベースの加熱保護、DESAT検出などのパワートランジスタ保護機能には、これらのフォルト時に選択可能なソフトターンオフまたは2レベルのターンオフが含まれます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするために、Texas Instruments UCC5871-Q1は、スイッチング中の4A アクティブミラークランプとドライバに電力が共有されていない間のアクティブゲートプルダウンを内蔵しています。集積10ビットADCを使用すると、システムマネジメントの強化を目的とした最大6つのアナログ入力とゲートドライバの温度を監視できるようになります。システム設計を簡素化するために、診断と検出機能が集積されています。これらの機能のパラメータと閾値は、SPIインターフェイスを使用して構成できます。これによって、デバイスをほぼすべてのSiC MOSFETまたはIGBTと併用できます。