Toshiba GT20N135SRAシリコンNチャンネルIGBT

Toshiba GT20N135SRAシリコンNチャンネルIGBTは、第6.5世代IGBTで、IGBTチップにモノリシックに統合されたフリーホイールダイオード （FWD）で構成されています。このIGBTは、1.60Vという低飽和電圧が特徴で、最高175°Cまでの高接合部温度および0.25µsのハイスピードスイッチングで動作します。GT20N135SRAシリコンNチャンネルIGBTは、電圧共振インバータスイッチング、ソフトスイッチング、IH調理器トップ、家電アプリケーションに特化されています。