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Toshiba TC7WP3125FK & TC7WP3125FC集積回路

Toshiba TC7WP3125FK & TC7WP3125FC集積回路は、デュアル供給の高度ハイスピードCMOS 2ビット対応デュアル供給電圧インターフェイス・バス・バッファです。デバイスは、シリコンゲートCMOS技術を用いて製造されています。これらは、最高3.6Vまでの過電圧耐性入力および出力で設計されています。

特徴

  • 1.2V～1.8V、1.2V～2.5V、1.2V～3.3V、1.5V～2.5V、1.5V～3.3V、1.8V～2.5V、1.8V～3.3V、または2.5V～3.3Vシステムにインターフェイス接続するためのレベルコンバータ
  • 高速動作:
    • tpd = 6.8ns (最高) (VCCA = 2.5 ± 0.2V, VCCB = 3.3 ± 0.3V)
    • tpd = 7.8ns (最高) (VCCA = 1.8 ± 0.15V, VCCB = 3.3 ± 0.3V)
    • tpd = 8.6ns (最高) (VCCA = 1.5 ± 0.1V, VCCB = 3.3 ± 0.3V)
    • tpd = 22ns (最高) (VCCA = 1.2 ± 0.1V, VCCB = 3.3 ± 0.3V)
    • tpd = 9.5ns (最高) (VCCA = 1.8 ± 0.15V, VCCB = 2.5 ± 0.2V)
    • tpd = 10.8ns (最高) (VCCA = 1.5 ± 0.15V, VCCB = 2.5 ± 0.2V)
    • tpd = 23ns (最高) (VCCA = 1.2 ± 0.15V, VCCB = 2.5 ± 0.2V)
    • tpd = 30ns (最高) (VCCA = 1.2 ± 0.1V, VCCB = 1.8 ± 0.15V)
  • 出力電流:
    • IOH/IOL = ±12mA (最低) (VCC = 3.0V)
    • IOH/IOL = ±9mA (最低) (VCC = 2.3V)
    • IOH/IOL = ±3mA (最低) (VCC = 1.65V)
  • ラッチアップ性能: -300mA
  • ESD性能:
    • 機械モデル ≥ ±200V
    • 人体モデル ≥ ±2000V
  • 超小型パッケージ: CSON8（CST8）、SSOP8（US8）
  • 低消費電流:
    • OE =「H」の場合に新しい回路を使用することで電流消費を大幅に低減
    • PDAや携帯電話といったバッテリ駆動アプリケーションに最適
  • すべての入力と出力で実現している3.6V耐性機能とパワーダウン保護

ブロック図

ブロック図 - Toshiba TC7WP3125FK & TC7WP3125FC集積回路
公開: 2020-10-14 | 更新済み: 2024-11-25