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Toshiba TKx シリコンNチャンネルMOSFET

東芝 (Toshiba) TKx シリコンNチャンネルMOSFETには、U-MOSX-HとDTMOSVIタイプがあり、卓越した性能特性を備えています。逆回復時間を短くし、ターンオフ状態とターンオン状態の間の遅延を低減し、高速スイッチングアプリケーションの効率を向上しました。ドレイン・ソース間のオン抵抗[RDS（on）]が低いため、電力損失を最小限に抑え、熱管理を改善することができ、大電流を低エネルギー消散で処理する必要があるアプリケーションに最適です。

特徴

  • U-MOSX-HおよびDTMOSVIタイプ
  • 高速逆回復時間
    • U-MOSX-H：40ns〜52ns（代表値）
    • DTMOSVI：135ns（代表値）
  • 低ドレイン-ソース間オン抵抗
    • U-MOSX-H：4.1mΩ〜8mΩ（代表値）
    • DTMOSVI：0.052Ω（代表値）
  • 拡張モード範囲
    • U-MOSX-H向け3.1V ~ 4.5V (VDS = 10V、ID = 1.1mA ～ 2.2mA)
    • DTMOSVI向け3.5V ~ 4.5V (VDS = 10V、ID = 1.69mA)
  • 容量が低い高速スイッチング特性（DTMOSVI）
  • 逆回復電荷量の範囲：32nC〜55nC（代表値）（U-MOSX-H）
  • ゲート電荷量の範囲：17nC〜26nC（代表値）（U-MOSX-H）
  • 最大リーク電流：10µA（U-MOSX-H）

アプリケーション

  • スイッチング電圧レギュレータ
  • 高効率DC/DCコンバータ（U-MOSX-H）
  • モータドライバ（U-MOSX-H）
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部品番号 データシート パッケージ/ケース Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失 上昇時間 下降時間
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ データシート TOLL-9 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 50 nC 230 W 17 ns 4 ns
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ データシート TOLL-9 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 42 nC 190 W 14 ns 3.7 ns
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ データシート TOLL-9 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 24 nC 130 W 15 ns 5 ns
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1,RQ データシート TOLL-9 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 43 nC 211 W 20 ns 4 ns
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ データシート TOLL-9 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC 176 W 18 ns 4.6 ns
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ データシート TOLL-9 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 28 nC 150 W 16 ns 5 ns
TK063N60Z1,S1F TK063N60Z1,S1F データシート TO-247-3 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 56 nC 242 W 50 ns 5 ns
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F データシート TO-247-3 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 68 nC 270 W 51 ns 3.5 ns
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X データシート TO-220-3 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 300 W 87 ns 77 ns
TK5R0A15Q5,S4X TK5R0A15Q5,S4X データシート TO-220SIS-3 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 53 W 62 ns 57 ns
公開: 2024-09-10 | 更新済み: 2025-08-02