Toshiba U-MOSIX-H MOSFET
Toshiba U-MOSIX-H低電圧Nチャンネル・エンハンスメントモードMOSFETは、二次側のAC-DC電源での使用を目的に特別に設計されている高効率MOSFETです。これには、ノートブックPCアダプタ、ゲームコンソール、サーバー、デスクトップPC、フラットパネルが含まれています。通信機器、サーバ、データセンター用のDC-DC電源も含まれています。これらは、ハイスピード・スイッチング、小ゲート電荷、低ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴です。これらのMOSFETは、Gen-8およびGen-9 Trench MOSプロセスを用いて製造されています。U-MOSIX-H低電圧MOSFETは、電源の効率向上に役立ちます。特徴
- 高速スイッチング
- 小型ゲート電荷
- 小型出力充電
- 低ドレインソースオン抵抗
- 低漏洩電流
- 拡張モード
アプリケーション
- 高効率DC-DCコンバータ
- スイッチング電圧レギュレータ
- モータドライバ
ビデオ
アプリケーションノート
- バイポーラトランジスタ: 電気特性
- バイポーラトランジスタ: 最大定格
- バイポーラトランジスタ: 用語
- バイポーラトランジスタ: 熱安定性と設計
- ディスクリート半導体デバイスの温度計算
- MOSFET安全動作領域のディレーティング
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート1
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート2
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート3
- IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
- MOSFETへのDv/dtレートの影響
- MOSFETアバランシェの堅牢性
- MOSFETゲートドライブ回路
- MOSFETの並列化(並列パワーMOSFETの間での寄生発振)
- MOSFETの自己ターンオン現象
- 寄生発振とパワーMOSFETのリンギング
- パワーMOSFET: 最大定格
公開: 2019-05-01
| 更新済み: 2024-08-12
