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Vishay General Semiconductor 170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor 170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature a wide range of current ratings from 10A to 80A in the power TO-220AB, TO-263AB, and TO-3PW packages. With low forward voltage drops down to 0.65V typical at 30A, these Vishay General Semiconductor rectifiers are designed for telecom power supplies.

Features

  • Trench MOS Schottky technology
  • Low forward voltage drop, low power losses
  • High efficiency operation
  • Solder dip 275°C max. 10s, per JESD 22-B106

Applications

  • High frequency DC/DC converters
  • Switching power supplies
  • Freewheeling diodes
  • OR-ing diode
  • Reverse battery protection

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Vishay General Semiconductor TMBS® トレンチMOSバリア・ショットキー

ドリフト領域への少数キャリアの注入を減らして蓄積電荷を最小限に抑え、スイッチング速度を改善。

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部品番号 データシート 説明 If - 順電流（Forward Current） Vf - 順電圧（Forward Voltage）
VB60170G-E3/4W VB60170G-E3/4W データシート ショットキーダイオードおよび整流器 60A 170V TrenchMOS 60 A 870 mV
V60170G-M3/4W V60170G-M3/4W データシート ショットキーダイオードおよび整流器 60A 170V TrenchMOS 60 A 870 mV
VB10170C-E3/4W VB10170C-E3/4W データシート ショットキーダイオードおよび整流器 10A 170V TrenchMOS 10 A 840 mV
V40170C-M3/4W V40170C-M3/4W データシート ショットキーダイオードおよび整流器 40A 170V TrenchMOS 40 A 860 mV
V10170C-M3/4W V10170C-M3/4W データシート ショットキーダイオードおよび整流器 10A 170V TrenchMOS 10 A 840 mV
VB40170C-E3/4W VB40170C-E3/4W データシート ショットキーダイオードおよび整流器 40A 170V TrenchMOS 40 A 1.2 V
公開: 2012-10-16 | 更新済み: 2022-03-11