Vishay / Siliconix DG2519E高帯域幅デュアルSPDTアナログスイッチ
Vishay/Siliconix DG2519E高帯域幅デュアル単極双投(SPDT)アナログスイッチは、モノリシックCMOS SPDTアナログスイッチで、低電圧・高帯域幅アプリケーション用に明示的に設計されています。DG2519Eオン抵抗、整合、平坦性は、アナログ電圧範囲全体で保証されています。広い動的性能は、1MHzでのクロストークおよびオフ絶縁を目的に、-61dB(標準)で達成されています。SPDTは、独立した制御ロジックで動作し、両方向で同等に良好に動作し、オフの場合に電源レベルまで信号をブロックします。ブレークビフォアメークが保証されています。高速スイッチング速度、低オン抵抗、高帯域幅、低電荷注入が備わっているDG2519Eは、高直線性のオーディオおよびビデオスイッチングに最適です。Vishay/Siliconixの低電圧CMOS技術で構築されたDG2519Eには、ラッチアップを防止するエピタキシャル層が搭載されています。特徴
- 消費電力の削減
- 高精度
- ボードスペースを削減
- 低電圧ロジック互換
- 高帯域幅
- 単一電源:1.8V~5.5V
- 2.5Ωの低オン抵抗(Ron)
- 1MHzで-61dBのクロストークおよびオフ絶縁
- MSOP-10およびDFN-10パッケージ・オプション
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 携帯電話
- ヘッドセットスピーカースイッチング
- オーディオおよびビデオ信号ルーティング
- PCMCIAカード
- 低電圧データ収集
- ATE
仕様
- 最大連続電流(任意の端子):±50mA
- ±200mAの最大ピーク電流(1ms、10%デューティサイクルでパルス)
- 最大電力損失
- MSOP-10で320mW
- 1191mW DFN-10
- 最大ラッチアップ:300mA
- 電源範囲:2.7V~3.3V
- 最大電源電流:1μA
- 最大ESD定格
- 7.5kV人体モデル(HBM)
- デバイス帯電モデル (CDM) 1.5kV
- 動作温度範囲:-40°C~+85°C
ブロック図/ピン構成
公開: 2024-11-22
| 更新済み: 2024-12-20
