Vishay / Siliconix DG2519E高帯域幅デュアルSPDTアナログスイッチ

Vishay/Siliconix  DG2519E高帯域幅デュアル単極双投(SPDT)アナログスイッチは、モノリシックCMOS SPDTアナログスイッチで、低電圧・高帯域幅アプリケーション用に明示的に設計されています。DG2519Eオン抵抗、整合、平坦性は、アナログ電圧範囲全体で保証されています。広い動的性能は、1MHzでのクロストークおよびオフ絶縁を目的に、-61dB(標準)で達成されています。SPDTは、独立した制御ロジックで動作し、両方向で同等に良好に動作し、オフの場合に電源レベルまで信号をブロックします。ブレークビフォアメークが保証されています。高速スイッチング速度、低オン抵抗、高帯域幅、低電荷注入が備わっているDG2519Eは、高直線性のオーディオおよびビデオスイッチングに最適です。Vishay/Siliconixの低電圧CMOS技術で構築されたDG2519Eには、ラッチアップを防止するエピタキシャル層が搭載されています。

特徴

  • 消費電力の削減
  • 高精度
  • ボードスペースを削減
  • 低電圧ロジック互換
  • 高帯域幅
  • 単一電源:1.8V~5.5V
  • 2.5Ωの低オン抵抗(Ron)
  • 1MHzで-61dBのクロストークおよびオフ絶縁
  • MSOP-10およびDFN-10パッケージ・オプション
  • リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • 携帯電話
  • ヘッドセットスピーカースイッチング
  • オーディオおよびビデオ信号ルーティング
  • PCMCIAカード
  • 低電圧データ収集
  • ATE

仕様

  • 最大連続電流(任意の端子):±50mA
  • ±200mAの最大ピーク電流(1ms、10%デューティサイクルでパルス)
  • 最大電力損失
    • MSOP-10で320mW
    • 1191mW DFN-10
  • 最大ラッチアップ:300mA
  • 電源範囲:2.7V~3.3V
  • 最大電源電流:1μA
  • 最大ESD定格
    • 7.5kV人体モデル(HBM)
    • デバイス帯電モデル (CDM) 1.5kV
  • 動作温度範囲:-40°C~+85°C

ブロック図/ピン構成

ブロック図 - Vishay / Siliconix DG2519E高帯域幅デュアルSPDTアナログスイッチ
公開: 2024-11-22 | 更新済み: 2024-12-20