Vishay Semiconductors MAACPAK PressFit SiC MOSFET パワーモジュール

Vishay Semiconductors MAACPAK PressFit SiC MOSFET パワーモジュールは、車載、エネルギー、産業、および電気通信システムにおける中〜高周波アプリケーションでの効率と信頼性を向上させるために設計された1200Vモジュールです。薄型のMAACPAK PressFit パッケージにそれぞれ4個および6個のMOSFETを搭載したVS-MPY038P120とVS-MPX075P120は、高度な炭化ケイ素(SiC)技術を堅牢なトランスファーモールド構造に組み合わせています。このパワーモジュールは、SiC MOSFETに加え、温度検出用のNTCサーミスタと、逆回復電流が少ない高速なSiC ダイオードを内蔵しています。これにより、スイッチング損失を低減し、効率向上を実現します。

信頼性を高めるため、VS-MPY038P120およびVS-MPX075P120の堅牢なトランスファーモールド技術は、熱抵抗を改善しつつ、市場にある従来製品よりも長い製品寿命の実現を可能にします。また、より効率的でクリーンなスイッチングを実現するため、MAACPAK パワーモジュールの薄型設計は省スペース化を可能にしつつ、寄生インダクタンスとEMIを低減します。本モジュールの PressFit ピンは業界標準のレイアウトに準拠したマトリックス状に配置されており、既存の設計における他社製品からの容易な置き換えと性能向上を可能にします。

特徴

  • 炭化ケイ素 パワーMOSFETを統合
  • 逆回復電荷(Qrr)が少ない高速ダイオードを内蔵
  • 温度検出用NTC(負温度係数)サーミスタを内蔵
  • 高い阻止電圧(1200V)と低オン抵抗(最小 38Ω)
  • 低静電容量による高速スイッチング
  • 最高+175°Cジャンクション温度
  • PressFit ピン ロッキング技術
  • 回路構成オプション
    • フルブリッジインバータ(VS-MPY038P120)
    • 三相インバータ(VS-MPX075P120)
  • 堅牢なトランスファーモールド構造
  • 薄型 MAACPAK PressFit パッケージ
  • UL申請中
  • リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • EV充電器
  • サーバーおよび電気通信用電源ユニット(PSU)
  • 無停電電源装置(UPS)
  • 電気自動車(EV)およびハイブリッド車(HEV)向けオフボード充電器
  • モータドライブ
  • 溶接装置
  • ソーラーインバータ
  • スイッチモード電源(SMPS)
  • DC/DCコンバータ
  • HVACシステム
  • 大規模なバッテリストレージシステム

仕様

  • MOSFET
    • 最大ドレイン-ソース電圧:1,200V
    • ゲート・ソース間電圧 15V時の連続ドレイン電流
      • VS-MPY038P120:最大35A〜43A
      • VS-MPX075P120:最大18A〜22A
    • 最大パルスドレイン電流範囲:100A~180A
    • 最大電力損失範囲:47.5W〜93W
    • 最大ゲート・ソース間電圧:-8V/+19V、推奨動作範囲は-4V/+15V
  • モジュール
    • 最大接合部温度範囲:-55°C~+175°C
    • 動作時最大接合部温度範囲:-40°C~+150°C
    • 最大動作・保存温度範囲:-40°C~+150°C
    • 最大絶縁電圧 3500VRMS
  • 最小ドレイン-ソース間破壊電圧:1,200V
  • 静的ドレイン・ソース間オン抵抗範囲:33mΩ~128mΩ
  • ゲート閾値電圧範囲 : 1.6V ~ 3.8V
  • 閾値電圧の温度係数範囲(標準):-5.9mV/°C~-5.0mV/°C
  • 順方向トランスコンダクタンス(標準):12.4S~27.3S
  • 最大ドレイン・ソース間リーク電流範囲:60μA〜120μA
  • 最大ゲート・ソース間リーク電流:±250nA
  • 総ゲート電荷量範囲(標準):56nC~100nC
  • ゲート・ソース間電荷量範囲(標準):17nC~33nC
  • ゲート・ドレイン間(ミラー)電荷量範囲(標準):18nC~27nC
  • ターンオン スイッチング エネルギー範囲(標準):0.193mJ~0.508mJ
  • ターンオフ スイッチングエネルギー範囲(標準):0.074mJ~0.152mJ
  • ターンオン遅延時間範囲(標準):13ns~15ns
  • 12ns~14nsの標準立ち上がり時間範囲
  • ターンオフ遅延時間範囲(標準):35ns~44ns
  • 立ち下がり時間範囲(標準):10ns~11ns
  • 入力容量範囲(標準):1489pF~2979pF
  • 出力容量範囲(標準):85pF~91pF
  • 帰還容量範囲(標準):6.1pF~8.9pF
  • ソース・ドレイン定格および特性
    • 最大パルスソース電流(ボディダイオード)範囲:100A~189A
    • ダイオード順方向電圧範囲(標準):5.75V~5.96V
    • 逆回復時間範囲(標準):14.4ns~15ns
    • 逆回復電荷量範囲(標準):198nC~346nC
    • 逆回復電流範囲(標準):26A~38.3A
  • 内蔵NTC - サーミスタ
    • 抵抗値:10KΩ
    • B定数:3430K ±3%
    • ゼロパワー時動作温度範囲:-40°C~+150°C
    • 散逸率:3.5mW/K
    • 熱時定数:約10秒
  • 熱抵抗
    • 接合部・シンク間範囲(標準):0.9°C/W~1.8°C/W
    • ケース・シンク間(標準):0.1°C/W
  • 機械的特徴
    • 取り付けトルク範囲:0.7Nm~1.7Nm(M3)
    • 標準重量 16g
    • MAACPAK パッケージ

データシート

  • VS-MPY038P120 MAACPAK PressFitパワーモジュール、フルブリッジインバータシリコンカーバイドMOSFET、38mΩ
  • VS-MPX075P120 MAACPAK PressFitパワーモジュール、3相インバータ1200VシリコンカーバイドMOSFET、75mΩ

回路構成

機械図面 - Vishay Semiconductors MAACPAK PressFit SiC MOSFET パワーモジュール
公開: 2025-12-16 | 更新済み: 2025-12-23