Vishay Nチャンネル60Vおよび100V(D-S)MOSFET PowerPAK
Vishay Nチャンネル60Vおよび100V(D-S)MOSFET は、ON抵抗が低いTrenchFET® Gen IVテクノロジーおよび極めて低い熱抵抗が特徴です。 これらのデバイスは、極めて低いゲート電荷と出力チャージも特徴で、 電力 l損失を低減し効率性を向上させます。 小型の6.15mm x 5.13mm PowerPAK® SO-8パッケージは、従来のTO-220およびTO-263(パッケージの)ソリューションの代替パッケージとなり省スペースが可能です。
特徴
- TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
- 電力損失を低減し効率性を向上させる非常に低いゲート電荷(Qg)と出力電荷(Qoss)
- 機械的応力に対する弾力性を実現する柔軟性に富んだリード
- 100% Rg のUIS試験済
- スイッチング特性を最適化するQgd/Qgs 比 <1
- RoHS準拠、ハロゲンフリー
アプリケーション
- 同期整流
- 高電力密度のDC-DC
- DC-ACインバータ
- ソーラーマイクロインバータ
- 昇圧コンバータ
- LEDバックライト
関連製品
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
公開: 2020-03-19
| 更新済み: 2024-12-17