Vishay Nチャンネル60Vおよび100V(D-S)MOSFET PowerPAK

Vishay Nチャンネル60Vおよび100V(D-S)MOSFET は、ON抵抗が低いTrenchFET® Gen IVテクノロジーおよび極めて低い熱抵抗が特徴です。  これらのデバイスは、極めて低いゲート電荷と出力チャージも特徴で、 電力 l損失を低減し効率性を向上させます。   小型の6.15mm x 5.13mm PowerPAK® SO-8パッケージは、従来のTO-220およびTO-263(パッケージの)ソリューションの代替パッケージとなり省スペースが可能です。

特徴

  • TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
  • 電力損失を低減し効率性を向上させる非常に低いゲート電荷(Qg)と出力電荷(Qoss) 
  • 機械的応力に対する弾力性を実現する柔軟性に富んだリード 
  • 100% Rg のUIS試験済
  • スイッチング特性を最適化するQgd/Qgs 比 <1
  • RoHS準拠、ハロゲンフリー

アプリケーション

  • 同期整流
  • 高電力密度のDC-DC
  • DC-ACインバータ
  • ソーラーマイクロインバータ
  • 昇圧コンバータ
  • LEDバックライト

インフォグラフ

Vishay Nチャンネル60Vおよび100V(D-S)MOSFET PowerPAK
公開: 2020-03-19 | 更新済み: 2024-12-17