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Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET®パワーMOSFET

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET® パワーMOSFETは、薄型1.07mmの新しい低熱抵抗PowerPAK® パッケージでご用意があります。TrenchFET® パワーMOSFETは、100% Rg/UIS試験済でハロゲンフリーです。これらのSI73パワーMOSFETは、DC/DCコンバータでの使用に最適です。

特徴

  • 薄型1.07mmの新しい低熱抵抗PowerPAK® パッケージ
  • 100% Rg/UIS試験済
  • ハロゲンフリー

アプリケーション

  • DC/DCコンバータ

パッケージ寸法

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET®パワーMOSFET
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部品番号 データシート パッケージ/ケース トランジスタ極性 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失 順方向トランスコンダクタンス - 最小 下降時間 上昇時間 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 データシート PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 30 A 3 mOhms 1 V 36 nC 5.4 W 110 S 32 ns 16 ns 90 ns 24 ns
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 データシート PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 30 A 3 mOhms 1 V 36 nC 5.4 W 110 S 32 ns 16 ns 90 ns 24 ns
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 データシート PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 19 A 7 mOhms 2.5 V 11.5 nC 5 W 50 S 10 ns 9 ns 35 ns 12 ns
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 データシート PowerPAK-1212-8 P-Channel 60 V 8 A 146 mOhms 3 V 14.5 nC 19.8 W 10 S 35 ns 15 ns 30 ns 25 ns
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 データシート PowerPAK-SO-8 N-Channel 60 V 9.6 A 11 mOhms 4 V 57 nC 5.2 W 50 S 30 ns 12 ns 16 ns 50 ns
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 データシート PowerPAK-SO-8 N-Channel 60 V 9.6 A 11 mOhms 4 V 57 nC 5.2 W 50 S 30 ns 12 ns 16 ns 50 ns
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 データシート PowerPAK-1212-8 P-Channel 60 V 8 A 146 mOhms 3 V 14.5 nC 19.8 W 10 S 35 ns 15 ns 30 ns 25 ns
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 データシート PowerPAK-SO-8 N-Channel 30 V 19 A 7 mOhms 2.5 V 11.5 nC 5 W 50 S 10 ns 9 ns 35 ns 12 ns
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 データシート PowerPAK-1212-8 P-Channel 150 V 8.9 A 315 mOhms 4 V 19.5 nC 52 W 10 S 8 ns 9 ns 23 ns 8 ns
SI7370ADP-T1-GE3 SI7370ADP-T1-GE3 データシート PowerPAK-1212-8 N-Channel 60 V 50 A 57 mOhms 4 V 8.4 nC 69.4 W 12 S 20 ns 9 ns 40 ns 20 ns
公開: 2024-01-08 | 更新済み: 2024-01-24