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Vishay Semiconductors SI78 Nチャンネル（D-S）MOFSET

Vishay Semiconductors SI78 Nチャンネル(D-S) MOSFETは、1.07mmの薄型で新しい低熱抵抗PowerPAK® パッケージでご用意があります。これらのNチャンネル(D-S) MOSFETは、PWM最適化されており、100% Rg 試験済、ハロゲンフリー、RoHSに準拠しています。SI78 MOSFETは、DC/DCコンバータ、DC/DCアプリケーション用の一次側スイッチ、同期整流器で使用されています。

特徴

  • 新しい低熱抵抗PowerPAK® パッケージ（1.07mm薄型）
  • 100% Rg 試験済
  • ハロゲンフリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • DC/DCコンバータ
  • DC/DCアプリケーション用一次側スイッチ
  • 同期整流器

パッケージ寸法

Vishay Semiconductors SI78 Nチャンネル（D-S）MOFSET
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部品番号 データシート パッケージ/ケース Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失 順方向トランスコンダクタンス - 最小 下降時間 上昇時間 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 データシート PowerPAK-SO-8 40 V 47 A 9 mOhms 33 nC 36 W 56 S 10 ns 12 ns 25 ns 25 ns
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 データシート PowerPAK-1212-8 75 V 16 A 37 mOhms 16 nC 52 W 23 S 50 ns 130 ns 35 ns 20 ns
SI7812DN-T1-GE3 SI7812DN-T1-GE3 データシート PowerPAK-1212-8 75 V 16 A 37 mOhms 16 nC 52 W 23 S 50 ns 130 ns 35 ns 20 ns
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 データシート PowerPAK-SO-8 150 V 3 A 85 mOhms 17 nC 1.9 W 15 S 17 ns 10 ns 24 ns 9 ns
SI7846DP-T1-GE3 SI7846DP-T1-GE3 データシート PowerPAK-SO-8 150 V 24.5 A 50 mOhms 30 nC 1.9 W 18 S 10 ns 7 ns 22 ns 12 ns
SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 データシート PowerPAK-1212-8 30 V 9 A 11 mOhms 13.2 nC 1.5 W 32 S 10 ns 10 ns 33 ns 13 ns
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 データシート PowerPAK-SO-8 150 V 3 A 85 mOhms 17 nC 1.9 W 15 S 17 ns 10 ns 24 ns 9 ns
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 データシート PowerPAK-SO-8 60 V 12 A 19.5 mOhms 11.1 nC 35.7 W 39 S 10 ns 21 ns 10 ns 7 ns
SI7892BDP-T1-GE3 SI7892BDP-T1-GE3 データシート PowerPAK-SO-8 30 V 15 A 4.2 mOhms 27 nC 1.8 W 85 S 20 ns 13 ns 62 ns 20 ns
SI7880ADP-T1-E3 SI7880ADP-T1-E3 データシート PowerPAK-SO-8 30 V 40 A 3 mOhms 84 nC 83 W 120 S 30 ns 14 ns 96 ns 20 ns
公開: 2024-01-09 | 更新済み: 2024-01-24