Vishay / Siliconix Vishay Siliconix SiA936EDJ SiA936EDJ デュアル Nチャネル MOSFET
Vishay Siliconix SiA936EDJ デュアル Nチャネル MOSFETは携帯デバイスの省スペースおよび電力効率を改善するために設計されており、 2 mm x 2 mmフットプリントエリアの4.5Vおよび2.5Vゲートドライブ、20V（12V VGS および8V VGS）デバイスの業界最低のオン抵抗を備えています。SiA936EDJはスマートフォン、タブレットPC、モバイル コンピュータシステム、非埋め込み型携帯用医療製品、および小型ブラシレスDCモーターを搭載した家庭用携帯家電製品の電源管理用の負荷および充電器スイッチ、DC/DCコンバータ、Hブリッジ、バッテリー保護用に最適化されています。これらの用途に対し、SiA936EDJは34mO（4.5V）、37mO（3.7V）、および45mO（2.5V）、の超低オン抵抗、2000Vの内蔵ESD保護を提供します。2.5Vでのオン抵抗は競合する最も近い8V VGSデバイスと比較して11.7% 低く、同時に高い（G-S）保護周波数帯を提供し、12V VGSでは競合する最も近いデバイスより15.1%より低くなっています。. 工業用低オン抵抗により、回路内で低ドロップ電圧を実現、電源の使用効率を促進し、バッテリー寿命を延ばします。2つのMOSFETを1つのコンパクトなパッケージに統合することで、デュアルSiA936EDJは設計を簡素化、全体的なコンポーネント数を削減、厳しいPCBのスペースを節約します。Vishay Siliconix SiA936EDJデュアル Nチャネル MOSFETは100%Rg試験済、JEDEC JS709Aに従って無ハロゲン、RoHS指令2011/65/EU準拠です。
The SiA906EDJ is optimized for load switches for portable applications and high-frequency DC/DC converters. For these applications, the SiA906EDJ offers extremely low on-resistance of 34mΩ (4.5V), 37mΩ (3.7V), and 45mΩ (2.5V), and built-in ESD protection of 2000V.
Its on-resistance at 2.5V is 11.7% lower than the closest competing 8V VGS device — while providing a higher (G-S) guard band — and 15.1% lower than the closest competing device with a 12V VGS.
The device's industry-low on-resistance allows designers to achieve lower voltage drops in their circuits and promote more efficient use of power and longer battery run times. By integrating two MOSFETs into one compact package, the dual Vishay Siliconix SiA906EDJ simplifies designs, lowers the overall component count, and saves critical PCB space.
特徴
- TrenchFET power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package
- Small footprint area
- Low on-resistance
- 560V typical ESD protection
- 100% Rg tested
アプリケーション
- Load switch for portable applications
- High-frequency DC/DC converter