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Vishay Siliconix SiA936EDJ SiA936EDJ デュアル Nチャネル MOSFET

Vishay SiliconixのSiA936EDJデュアルNチャネルMOSFETは携帯デバイスの省スペースおよび電力効率を改善するために設計されており、 2mm x 2mmフットプリントエリアの4.5Vおよび2.5Vゲートドライブ、20V（12V V_GS および8V V_GS）デバイスの業界最低のオン抵抗を備えています。SiA936EDJはスマートフォン、タブレットPC、モバイル コンピュータシステム、非埋め込み型携帯用医療製品、およびブラシレスDCモーターを搭載した小型家庭用携帯家電製品における、負荷および充電器スイッチ、DC/DCコンバータ、電源管理用のHブリッジおよびバッテリー保護用に最適化されています。SiA936EDJはこのような用途で34mΩ（4.5V）、37mΩ（3.7V）、45mΩ（2.5V）の超低オン抵抗、2000VのESD保護を提供します。2.5Vのオン抵抗は、高度な（G-S）保護帯域を提供しつつ最も近い競合8V V_GSデバイスより11.7%低く、また12V V_GSの最も近い競合デバイスより15.1%低くなっています。業界最低オン抵抗により、回路内でより低い電圧ドロップを達成し、電源の使用効率を促進し、バッテリー寿命を延ばします。2つのMOSFETを1つのコンパクトなパッケージに統合することで、デュアルSiA936EDJは設計を簡素化、全体的なコンポーネント数を削減、厳しいPCBのスペースを節約します。Vishay SiliconixのSiA936EDJデュアルNチャネルMOSFETは100%Rg試験済、JEDEC JS709Aに従って無ハロゲン、RoHS指令2011/65/EU準拠です。