特徴
- トレンチFETテクノロジー
- 統合ショットキーダイオード搭載ローサイドMOSFET
- 軽負荷効率向上のためのゼロ電流検出制御
- 低PWM伝搬遅延
- 熱監視と障害フラグ
- 低電圧ロックアウト保護
- 過電流保護
- ハイサイドFETショート保護
- 過熱保護
アプリケーション
- 多相電圧低減デバイス(VRD)
- CPU
- GPU:
- メモリ
仕様
- 最大1.5MHzの周波数動作
- トライステートおよびサポート付き3.3V PWMロジック
- 強化されたPowerPAK MLP55-31Lパッケージ
- 50A連続電流定格
- 80Aピークおよび100Aピーク定格電流
- 入力電圧範囲4.5V~24V
- 動作温度範囲:-40°C~+125°C
PIN構成
標準的なアプリケーション図
公開: 2025-05-06
| 更新済み: 2025-06-02

