Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV NチャンネルMOSFET
Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® 第4世代 Nチャネル MOSFET は、高効率な電力スイッチング用途向けに設計されています。コンパクトな PowerPAK®8mm × 8mm ボンドワイヤレス（BWL）パッケージに収められた SiEH4800EW は、VGS= 10V において 0.00115Ω という非常に低いオン抵抗を実現し、導通損失を低減するとともに熱性能を向上させます。最大連続ドレイン電流は260A、ゲート電荷は117nC と低く、高速スイッチングと高電流処理に対して最適化されており、同期整流、モーター ドライブ、高性能 DC-DC コンバータに最適です。頑丈な設計と高度トレンチ技術によって、厳しい環境での信頼性の高い動作が保証されます。
特徴
- TrenchFET Gen IVパワーMOSFET
- 省スペースPowerPAK 8mm x 8mm BWLパッケージで販売されており、1mmという超薄型になっており、電流能力を最大限に高めながら寄生インダクタンスを最小限に抑えます。
- ウェッタブル・フランク・パッケージによってハンダ付け性が強化されていると同時に、ハンダ接合の信頼性を視覚的に検査できます。
- ヒューズ付きリードが実装されており、ソースPADのはんだ付け可能領域を拡大し、より堅牢な設計が可能になります。
- 最大 RthJC が 0.36°C/W と低いため、熱性能が向上します。
- 10Vで0.88mΩ（typ.）という低いオン抵抗により、導通からの電力損失を最小限に抑え、効率性を向上しました。
- 超低RDS x Qg性能指数（FOM）
- 最大+175°Cの高温動作
- D2PAK (TO-263)よりも50%小型フットプリント
- 100% RgのUIS試験済
- 完全リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 同期整流
- OR-ing
- モータ駆動制御
- バッテリ管理
仕様
- 静的
- 80V最高ドレイン－ソース間絶縁破壊電圧
- 2V ～4Vゲート－ソース間閾値電圧
- ± 100nA (最大）ゲート－ソース漏洩
- 順方向トランスコンダクタンス: 150S 標準
- ダイナミック
- 29nF標準入力容量
- 1,650pF標準出力容量
- 逆転送静電容量：標準42pF
- ゲート抵抗範囲: 0.24Ω ~ 2.4Ω
- 最長電源投入遅延時間範囲：45ns～60ns
- 最大上昇時間範囲: 30ns ～50ns
- 最長電源切断遅延時間範囲：130ns ～140ns
- 40ns 下降時間
- ドレイン－ソース・ボディダイオード
- 最大連続ソース‐ドレインダイオード電流 379A（TC = +25°C）
- 最大パルスダイオード順電流：700A
- 1.1V最高ボディダイオード電圧
- 165ns最大ボディダイオード逆回復時間
- 500nC最大ボディダイオード逆回復電荷
- 60ns標準逆回復下降時間
- 23ns標準逆回復立ち上がり時間
- 最大ゲート－ソース間電圧：±20V
- 最大連続ドレイン電流（TJ = +175°C）
- 29A（TA = +70°C）～ 34A（TA = +25°C）
- 319A（TC =+70°C）～381A（TC =+25°C）
- シングルパルスアバランシェ
- 最大電流87A
- 380mJ最大エネルギー
- 最大電力損失
- 2.4W（TA =+70°C）～3.4W（TA =+25°C）
- 292W（TC =+70°C）～417W（TC =+25°C）
- 接合部動作温度範囲：-55°C～+175°C
- +260°C最高はんだ付け温度
- 最大熱抵抗
- 44°C/W接合部－周囲、定常状態
- 0.36 °/W m接合部－ケース（ドレイン）、定常状態
公開: 2025-06-11
| 更新済み: 2025-06-16