Vishay / Siliconix SiJA22DP Nチャンネル25V MOSFET
Vishay / Siliconix SiJA22DP Nチャンネル25V MOSFETは、シングル構成設計および25VDSドレイン-ソース間電圧をともなうPowerPAK SO-8Lパッケージに収められています。このモジュールは、TrenchFET® Gen IVパワーが特徴で、最低レベルのRDS～Qoss FOMに合うように調整されており、RgおよびUIS試験を100%実施済みです。Vishay SiJA22DP Nチャンネル25V MOSFETのアプリケーションには、同期整流、高電力密度DC/DC、バッテリと負荷スイッチ、ホット・スワップ・スイッチがあります。
特徴
- TrenchFET Gen IVパワー
- スイッチング特性を最適化するQgd/Qgs比 <1
- 最低レベルのRDS to Qoss FOMを目的に調整済
- RgおよびUIS試験を100%実施済
アプリケーション
- 同期整流
- 高電力密度DC/DC
- ホットスワップスイッチとOR-ing FET
- バッテリおよびロードスイッチ
仕様
- 25VDSドレイン-ソース電圧
- 160Aパルスドレイン電流
- 125mJシングル・パルス・アバランシェ・エネルギー
- 6500pF入力容量
- 2250pF出力容量
- 2Ωゲート抵抗
- PowerPAK SO-8Lパッケージ
- 単一構成
- 動作温度範囲: -55°C～+150°C
- 48W消費電力
寸法
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Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
公開: 2020-11-19
| 更新済み: 2024-12-16