Vishay / Siliconix SISH892BDN Nチャンネル100V MOSFET

Vishay / Siliconix SISH892BDNチャンネル100V MOSFETは、TrenchFET^® Gen IVパワーMOSFETで、R_gおよびUIS試験が100%完了しています。SISH892BDN MOSFETは、100V V_DS、20A I_D、8nC Q_gになっています。Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFETは、PowerPAK® 1212-8SHパッケージでご用意があり、動作接合部および保管温度範囲は-55°C～+150°Cです。