Vishay SiRS5700DP Nチャネル150V (D-S) MOSFET
Vishay SiRS5700DP Nチャンネル150V (D-S) MOSFETは、RDS x Qg 性能指数(FOM)が非常に低いTrenchFET® Gen VパワーMOSFETです。Vishay SiRS5700DPは電力効率を最適化し、デバイスのRDS (on) によって導通時の電力損失を最小限に抑え、効率的な動作を保証します。このMOSFETは、100% Rg およびUIS試験を受けており、信頼性が保証されています。また、電力損失を強化し、熱抵抗(RthJC)を低減するため、高性能アプリケーションに最適な選択です。特徴
- TrenchFET Gen VパワーMOSFET
- 非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM)
- トップクラスのRDS (on) によって、伝導からの電力損失を最小化
- 100% Rg およびUIS試験済
- 電力損失の強化とRthJC の低減
アプリケーション
- 同期整流
- DC/DCコンバータ
- OR接続とホットスワップスイッチ
- 電源
- モータ駆動制御
- バッテリ管理
アプリケーション回路
公開: 2024-01-19
| 更新済み: 2024-11-26
