Vishay SiRS5700DP Nチャネル150V (D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP Nチャンネル150V (D-S) MOSFETは、RDS x Qg 性能指数(FOM)が非常に低いTrenchFET® Gen VパワーMOSFETです。Vishay SiRS5700DPは電力効率を最適化し、デバイスのRDS (on) によって導通時の電力損失を最小限に抑え、効率的な動作を保証します。このMOSFETは、100% Rg およびUIS試験を受けており、信頼性が保証されています。また、電力損失を強化し、熱抵抗(RthJC)を低減するため、高性能アプリケーションに最適な選択です。

特徴

  • TrenchFET Gen VパワーMOSFET
  • 非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM)
  • トップクラスのRDS (on) によって、伝導からの電力損失を最小化
  • 100% Rg およびUIS試験済
  • 電力損失の強化とRthJC の低減

アプリケーション

  • 同期整流
  • DC/DCコンバータ
  • OR接続とホットスワップスイッチ
  • 電源
  • モータ駆動制御
  • バッテリ管理

アプリケーション回路

アプリケーション回路図 - Vishay SiRS5700DP Nチャネル150V (D-S) MOSFET
Vishay SiRS5700DP Nチャネル150V (D-S) MOSFET
公開: 2024-01-19 | 更新済み: 2024-11-26