Vishay / Siliconix スーパージャンクションMOSFET（PowerPAK® 10 x 12）
Vishay / Siliconix スーパージャンクションMOSFETは、PowerPAK® 10 x 12パッケージを採用し、電力技術を搭載しています。これらのパワー MOSFET は電力効率を最適化し、RDS(on) を最小化することで導通時の電力損失を低減し、効率的な動作を保証します。これらのコンポーネントは 100% Rg および UIS テスト済みです。Vishay / SiliconixスーパージャンクションMOSFETは、電力損失を低減し、熱抵抗 (RthJC) を低下させます。主な応用例には、同期整流、自動化、電源装置などが含まれます。
特徴
- 優れた熱能力
- 最新世代のEシリーズテクノロジー
- 低い性能指数（FOM）Ron x Qg
- 低実行静電容量（Co(er)）
- システム効率の向上
アプリケーション
- 電源
- データセンター
- 電気通信機器
- ゲーム用PC
- ソーラー / PVインバータ
- オートメーション
仕様
- 薄型設計：9.9mm x 11.7mm x 2.3mm
- TOリードレスパッケージ
- 統合Kelvinソース接続
インフォグラフィック
その他のリソース
注目MOSFET
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
業界最小のオン抵抗、1.35mΩ @4.5Vを実現。
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen VパワーMOSFET (VDS搭載）
非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM) で電力変換効率を向上させます。
Vishay / Siliconix SiJK140E Nチャネル40V (D-S) MOSFET
TrenchFET® Gen Vパワーテクノロジーを採用しており、同期整流とオートメーションに最適です。
公開: 2025-05-09
| 更新済み: 2025-05-22