特徴
- システムレトロフィットが可能になる業界スタンダード62mmフットプリント
- さまざまな産業アプリケーション要件に適合する電流および電圧定格の広いポートフォリオ
- 高湿度動作THB-80 (HV-H3TRB)
- 超低損失、高周波数動作
- ダイオードからのゼロ逆回復
- MOSFETのゼロ ターンオフ テール電流
- 通常オフのフェイルセーフ デバイス動作
- SiCの低スイッチング損失と導通損失によりシステム効率が向上
- 62mm IGBTパッケージからの移行に必要な最小限の開発で市場投入までの時間を短縮
- 銅の基板と窒化アルミニウムの絶縁体
アプリケーション
- 誘導加熱
- モータドライブ
- 再生可能エネルギー
- 鉄道補助および牽引
- EV高速充電
- UPSとSMPS
仕様
- 1,200Vまたは1,700Vドレイン-ソース間電圧オプション
- -8V ~ +19Vゲート-ソース間電圧範囲、-4V ~ +15V範囲を推奨
- 175A ~ 630A(標準)DC連続ドレイン電流範囲
- 236A 632A(標準)DCソース-ドレイン間電流範囲(ショットキーダイオード)
- パルス-ドレイン電流範囲: 350A ~ 1,060A (標準)
- 電力損失範囲: 789W ~ 2,000W (標準)
- 動作温度範囲:-40°C~+150°C
回路図とピン配列
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| HAS310M17BM3 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
| HAS530M12BM3 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
| HAS350M12BM3 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
| HAS175M12BM3 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
公開: 2024-07-12
| 更新済み: 2024-07-25


