Wolfspeed SiC C3M MOSFET
Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。
特徴
- C3M SiC MOSFET技術
- 低オン抵抗の高ブロック電圧
- 低電気容量の高速スイッチング
- ドライバソースを備えた低インピーダンスのパッケージ
- 低逆回復による高速真性ダイオード（Qrr）
- ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 再生可能エネルギー
- EVバッテリ充電器
- 高電圧DC/DCコンバータ
- スイッチモード電源
- 照明機器
- テレコム電源
- 誘導加熱
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| 部品番号 | データシート | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 | 上昇時間 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0021120D |  |
100 A | 28.8 mOhms | 160 nC | 469 W | 27 ns |
| C3M0032120D | |
63 A | 32 mOhms | 114 nC | 283 W | 22 ns |
| C3M0900170J-TR | |
|||||
| C3M0900170D | |
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| C3M0060065K | |
37 A | 60 mOhms | 46 nC | 150 W | 11 ns |
| C3M0900170M | |
|||||
| C3M0032120K | |
63 A | 32 mOhms | 118 nC | 283 W | 18 ns |
公開: 2016-01-26
| 更新済み: 2024-05-09