Nexperia LFPAK PチャンネルTrench MOSFET

Nexperia LFPAK PチャンネルTrench MOSFETは、AEC-Q101規格に準拠するように設計され、その認定を取得しており、高性能車載アプリケーションでの使用を目的としています。これらのMOSFETは、高熱電力散逸能力が特徴です。PチャンネルMOSFETは、LFPAK56 (パワーSO8)表面実装デバイス(SMD) プラスチックパッケージでご用意があります。これらのNexperia MOSFETは、175°Cの定格によって、熱的に厳しい環境に適しています。代表的なアプリケーションには、逆バッテリ保護、パワーマネジメント、高圧側負荷スイッチ、モータ駆動があります。

特徴

  • 高い熱電力散逸能力
  • +175°C定格(熱的に厳しい環境向け)
  • Trench MOSFET技術
  • AEC-Q101準拠
  • LFPAK56 (パワーSO8) SMDプラスチックパッケージ

アプリケーション

  • バッテリの逆方向挿入保護
  • 電源管理
  • ハイサイド負荷スイッチ
  • モータ駆動

アプリケーション回路図

アプリケーション回路図 - Nexperia LFPAK PチャンネルTrench MOSFET

LFPAK56フットプリントの概要

チャート - Nexperia LFPAK PチャンネルTrench MOSFET

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部品番号 データシート Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失
BUK6Y24-40PX BUK6Y24-40PX データシート 40 V 39 A 24 mOhms 23 nC 66 W
BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX データシート 60 V 25 A 61 mOhms 20 nC 66 W
PSMP033-60YEX PSMP033-60YEX データシート 60 V 30 A 33 mOhms 46 nC 110 W
BUK6Y10-30PX BUK6Y10-30PX データシート 30 V 80 A 10 mOhms 42.5 nC 110 W
BUK6Y14-40PX BUK6Y14-40PX データシート 40 V 64 A 14 mOhms 42.7 nC 110 W
BUK6Y19-30PX BUK6Y19-30PX データシート 30 V 45 A 19 mOhms 23 nC 66 W
BUK6Y33-60PX BUK6Y33-60PX データシート 60 V 30 A 33 mOhms 46 nC 110 W
PSMP061-60YEX PSMP061-60YEX データシート 60 V 25 A 61 mOhms 20 nC 66 W
公開: 2020-05-21 | 更新済み: 2024-05-03