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Nexperia LFPAK88 Trench 9車載MOSFET

Nexperia LFPAK88 Trench 9車載MOSFETは、革新的な8mm x 8mmのフットプリントで業界を代表する電力密度を供給することにより、D2PAKの代替品となります。これらのNexperia MOSFETは、2倍の高連続電流定格、究極の熱性能と信頼性、最大60%のスペース効率を発揮します。Nexperia LFPAK88 Trench 9車載MOSFETは、車載AEC-Q101および産業グレードでご用意があります。

特徴

  • AEC-Q101を超過する完全車載認定済
  • 熱的に厳しい環境に適した-55°C～+175°C定格
  • LFPAK88パッケージ
    • 今日のスペースに制約があるハイパワー車載アプリケーションを対象としたD2PAKといった旧式のワイヤボンドパッケージに比べてフットプリントが小さく電力密度が向上するように設計済
    • LFPAK88の熱効率が非常に高くなる薄型パッケージと銅クリップ
  • によるワイヤーボンドパッケージの改善が実現するLFPAK銅クリップテクノロジー
    • 最大電流能力の増大と優れた電流拡散
    • 改善されたRDS (on)
    • ソースインダクタンスが低い
    • 低熱抵抗Rth
  • LFPAKガルウィング・リード
    • 従来のQFNパッケージとは異なり、機械的・熱的サイクリング応力を吸収するボードレベルでの高信頼性を実現できるフレキシブルリード
    • ビジュアルはんだ付け検査（AOI）、高価なX線装置不要
    • 良好な機械的はんだ接合部のためのはんだ濡れ性
  • 独自の40V Trench 9スーパージャンクション技術
    • セルピッチの削減とスーパージャンクションプラットフォームによって、同じフットプリントでさらに低いRDSon を実現
    • 標準のトレンチMOSと比較してSOAおよびアバランシェ機能が向上
    • 厳しいVGS (th) 制限によって、MOSFETの簡単な並列接続が実現

アプリケーション

  • 12V車載システム
  • 12V二次側での48V DC/DCシステム
  • さらに高電力のモータ、ランプ、ソレノイド制御
  • 逆極性保護
  • LED照明
  • 超高性能電源スイッチ

アプリケーションノート

LFPAK88の各部名称付記図

チャート - Nexperia LFPAK88 Trench 9車載MOSFET

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部品番号 データシート Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX データシート 50 V 200 A 1.75 mOhms 117 nC
BUK7S1R2-40HJ BUK7S1R2-40HJ データシート 43 V 300 A 2.6 mOhms 80 nC
BUK7S2R5-40HJ BUK7S2R5-40HJ データシート 40 V 140 A 2.5 mOhms 38 nC
BUK7S0R5-40HJ BUK7S0R5-40HJ データシート 40 V 500 A 500 uOhms 190 nC
PSMN2R0-55YLHX PSMN2R0-55YLHX データシート 55 V 200 A 2.1 mOhms 119 nC
BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ データシート 43 V 260 A 3.27 mOhms 67 nC
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ データシート 40 V 325 A 1 mOhms 98 nC
BUK7S2R0-40HJ BUK7S2R0-40HJ データシート 40 V 190 A 2 mOhms 50 nC
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ データシート 40 V 425 A 700 uOhms 144 nC
公開: 2020-08-21 | 更新済み: 2024-05-03