NXP Semiconductors MRFX1K80 RFパワーLDMOSトランジスタ
NXP Semiconductors MRFX1K80 RFパワーLDMOSトランジスタには、高RF出力電力、卓越した堅牢性、熱性能が組み合わされています。MRFX1K80トランジスタは、1MHz～470MHzのアプリケーション向けに65V CW（連続波）で1800Wを供給するように設計されており、65:1の電圧定在波比（VSWR）を扱うことができます。 高電圧のMRFX1K80 RFパワーLDMOSトランジスタによって、結合するトランジスタの数を減らす上で役立つより高い出力電力が可能になり、パワーアンプの複雑さを簡素化してサイズを縮小します。また、この高電圧によってシステム内の電流を低下させ、DC電源のストレス制限、磁気放射の低減も実現します。 また、MRFX1K80は、従来のNXP LDMOSトランジスタとのピン対ピンの互換性があり、RF設計者は既存のプリント回路基板（PCB）設計を短期間で市場に投入できます。 MRFX1K80 RFパワーLDMOSトランジスタは、2種類のパッケージで提供されています。MRFX1K80Hは、NI-1230エアキャビティセラミックパッケージに格納されており、0.09ºC/Wの低熱抵抗が備わっています。MRFX1K80Nは、OM-1230オーバーモールドプラスチック製パッケージに格納されており、通常の熱抵抗が30%低くなっています。
The high voltage of the MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor enables higher output power, which helps decrease the number of transistors to combine, simplifying power amplifiers complexity and reducing their size. The high voltage also lowers the current in the system, limiting the stresses on DC power supplies and reducing magnetic radiation.
The MRFX1K80 is also pin-to-pin compatible with previous generation NXP LDMOS transistors, making it possible for RF designers to reuse existing printed circuit board (PCB) designs for a shorter time to market.
The MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor is offered in two package types. The MRFX1K80H is housed in a NI-1230 air cavity ceramic package, with a low thermal resistance of 0.09ºC/W. The MRFX1K80N is housed in an OM-1230 Over-Molded plastic package, and will typically offer a 30% lower thermal resistance.
Features
- Based on 65V LDMOS technology
- Wide 1MHz to 470MHz frequency range
- Characterized from 30V to 65V for extended power range
- High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
- High drain-source avalanche energy absorption capability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- VSWR >65:1 at all phase angles
- 24dB power gain @ 230MHz (typical)
- 74% Efficiency (typical)
- Low thermal resistance
- RoHS compliant
アプリケーション
- Industrial, Scientific, Medical (ISM):
- Laser generation
- Plasma etching
- Magnetic Resonance Imaging (MRI)
- Diathermy, skin laser, RF ablation
- Industrial heating, welding and drying systems
- Particle accelerators
- Broadcast:
- Radio broadcast (FM/DAB)
- VHF TV broadcast
- Aerospace:
- VHF omnidirectional range (VOR)
- HF and VHF communications
- Weather radar
- Mobile Radio:
- VHF base station