NXP Semiconductors MRFX1K80リファレンス回路
NXP Semiconductors MRFX1K80Hリファレンス回路を使用すると、NXP MRFX1K80 RFパワートランジスタの迅速な評価とプロトタイピングが可能になります。NXP MRFX1K50 RFパワーLDMOSトランジスタは、高RF出力電力、卓越した堅牢性、熱性能を組み合わせています。MRFX1K80トランジスタは、1MHz～470MHzのアプリケーション向けに65V CW（連続波）で1800Wを供給するように設計されており、65:1の電圧定在波比（VSWR）を扱うことができます。
特徴
- NXP MRFX1K80 RFパワートランジスタの評価用
- 高電圧によって、高出力電力密度、コンポーネント数の削減、設計の簡素化が実現
- 妥当な出力インピーダンスを維持しながら出力電力が向上する高速開発時間を増大し、インピーダンス整合の簡素化が可能
- NXP MRF1K50HおよびMRF1K50NR5 50V LDMOSトランジスタのピン対ピン互換性によってRFの設計者は、既存の回路ボードの設計を再利用して市場投入までの時間短縮を実現可能
- この高電圧によってシステム内の電流を低下させ、DC電源のストレス制限、磁気放射の低減を実現
- NXP 65V LDMOS技術には、信頼性の向上と効率性の高いアーキテクチャのための182Vの絶縁破壊電圧あり
アプリケーション
- 工業、科学、医療（ISM）
- レーザー生成
- プラズマ生成
- 粒子加速器
- MRI、RFアブレーション、肌の治療
- 工業加熱、溶接、乾燥システム
- ラジオとVHF TV放送
- Aerospace
- VHF全方向式レンジ（VOR）
- HF通信
- 天気レーダー
関連製品
NXP Semiconductors MRFXシリーズ65V LDMOSトランジスタ
高いRF出力電力および優れた堅牢性が備わっている連続波RFパワートランジスタです。
NXP Semiconductors MRF1K50H 1500W RFパワートランジスタ
優れた耐久性と熱性能を持つ最高のRF出力電力が組み合わされています。
NXP Semiconductors MRF1K50N 1500W RFパワートランジスタ
高RF出力電力、優れた堅牢性、熱性能が組み合わされた1500W RFパワートランジスタです。
View Results ( 9 ) Page
| 部品番号 | データシート | 周波数 | 動作供給電圧 |
|---|---|---|---|
| MRFX1K80N-88MHZ |  |
87.5 MHz to 108 MHz | |
| MRFX1K80H-88MHZ | |
87.5 MHz to 108 MHz | |
| MRFX1K80H-128MHZ | |
128 MHz | |
| MRFX1K80H-175MHZ | |
175 MHz | 60 V |
| MRFX1K80H-230MHZ | |
230 MHz | |
| MRFX1K80H-64MHZ | |
64 MHz | |
| MRFX1K80H-81MHZ | |
81.36 MHz | |
| MRFX1K80H-VHFDHY | |
174 MHz to 230 MHz | |
| MRFX1K80N-230MHZ | |
230 MHz |
公開: 2018-01-15
| 更新済み: 2022-10-18