NXP Semiconductors TEA2206Tアクティブブリッジ整流器コントローラ
NXP Semiconductors TEA2206Tアクティブブリッジ整流器は、従来のダイオードブリッジにある低圧側ダイオード2個をMOSFETに置き換えるように設計されています。TEA2206Tには低オーム・高電圧の外付けMOSFETが搭載されており、これを使用すると一般的な整流器ダイオード順導通損失がなくなり、パワーコンバータの効率が大幅に向上します。また、TEA2206Tには、Xコンデンサ放電機能が搭載されており、待機状態時の消費電力を削減できます。
TEA2206Tコントローラは、第一段としてブースト・タイプの力率制御器が搭載された電源を対象としています。第2段は、共振コントローラ、フライバックコントローラ 、または他の任意のコントローラ・トポロジで構成できます。高効率を必要とする任意の電源で使用できます。
NXP Semiconductors TEA2206Tアクティブブリッジ整流器コントローラは、SO8パッケージで販売されており、シリコンオンインシュレータ（SOI）プロセスで製造されています。
特徴
- 効率性の特徴
- ダイオード整流器ブリッジの順方向導通損失の低減
- 非常に低い2mW IC電力消費
- アプリケーションの特徴
- 2つの整流器MOSFETを直接駆動
- 外付け部品の数が非常に少ない
- 統合2mA Xコンデンサ放電
- 自己供給
- 制御機能
- 低電圧ロックアウト
- すべての外付けパワーMOSFETのドレイン-ソース過電圧保護
- すべての外部パワーMOSFETの起動時のゲートプルダウン電流
- 物理的特徴
- -40°C～+125°C接合部温度範囲
- SO8小型外形パッケージ、8リード、ボディ幅3.9mm
アプリケーション
- アダプタ
- デスクトップおよびオールインワンPC用の電源
- ディスプレイ用電源
- サーバ用の電源
開発ツール
NXP Semiconductors TEA2206DB1583デモボード
TEA2206Tアクティブブリッジ整流器コントローラの評価プラットフォームです。
関連製品
NXP Semiconductors TEA2209Tアクティブブリッジ整流器コントローラ
従来のダイオードブリッジを置き換えるために設計されたアクティブブリッジ整流器コントローラ です。
ブロック図
標準構成
アプリケーション図
パッケージの外形
公開: 2021-06-17
| 更新済み: 2022-03-11